材料工程基础介绍 1.ppt

固态相变均匀形核时的形核率可以用下式表示 式中 N－形核率，n－单位体积母相中的原子数，ν－原子振动频 率，Q－原子扩散激活能，K－Boltzmann常数，T－相变温度 （K）。 由于固态下Q值较大，且固态相变形核功也较高，与凝固过程 相比，固态相变均匀形核率非常小。 2．非均匀形核 金属固态相变主要依赖于非均匀形核，形核位置往往在母相中的 某些晶体缺陷处，其系统自由焓总变化为 与式（1－1）相比，多了一项－ΔGd，晶体缺陷能。该项的存在 将导致临界形核功的明显降低，从而大大促进形核率提高。 1）晶界 大角晶界具有高的界面能，在晶界形核时可 使界面能释放→相变驱动力，以降低形核功。 晶界可分为界面、界棱、 界隅。作为形核的优先位置 以界隅、界棱、界面排列。 但在过冷度较大时，形核已 无能量障碍，因为晶界面积 最大，提供的形核位置 最多，所以晶界对形核的贡献最大。 2）位错 新相在位错线上形核 ①可由位错线消失时所释放出来的能量作为相变驱 动力以降低形核功； ②新相形核时位错不消失，而依附于新相界面上构 成半共格界面上的位错部分，以补偿错配度，从而降低应 变能，使形核功降低； ③溶质原子在位错线上偏聚，使溶质含量增高，便于 满足新相形成时所需的成分条件，使新相晶核易于形成； ④位错线可作为扩散的短路通道，降低扩散激活能， 从而加速形核过程； ⑤位错可分解形成有两个分位错与其间的层错组成扩 展位错，使其层错部分作为新相的核胚而有利于形核。 3）空位 可通过加速扩散或利用自身能量提供形核驱动力 促进形核。 §1－5 固态相变时的晶核长大 新相晶核的长大实质是新相界面向母相方向的迁移。 依固态相变类型和晶核界面结构的不同，其长大机理也不 同。 1、新相长大过程 传质过程：有成分变化的新相长大需满足成分条件—— 溶质原子的扩散。 界面过程：界面附近原子调整位置。 协同性：界面原子有规律调整，相邻关系不变； 非协同性：界面原子无规律调整，相邻关系变化。 有成分变化——溶质原子扩散； 成分不变——溶质原子不扩散。 1）半共格界面的迁移 平界面：位错柏氏矢量b平行于界面，若界面沿法线 方向迁移，界面位错必须攀移→界面移动—难以实现的。 台阶界面：界面位错分布于各个台阶界面上，位错 的滑移运动使台阶发生侧向迁移→界面沿其法向推进，— —台阶式长大。 2）非共格界面的迁移 晶核与母相间呈非共格界面时： 界面上的原子排列紊乱——无规 则排列的过渡薄层。 原子移动的步调不协同的，相 对位移距离不等，其相邻关系也可 能发生变化，随着母相原子不断地 向新相中转移，界面便沿其法线向 前推进，从而使新相不断长大—— 非协同型长大。 在非共格界面的微观区域中呈现台阶结构时： 台阶平面是原子排列最密的界面，台阶高度相当于一个原子 层，通过原子从母相台阶端部向新相台阶上转移，便使新相台阶发 生侧向移动，引起界面推进——新相长大。 非共格界面的迁移是通过界面扩散进行的——扩散型相变。 2.新相的长大速度 新相的长大速度决定于界面迁移速度。 无扩散型相变，如马氏体转变，由于相界面迁移是通过点阵切 变完成的，不需要原子扩散，具有很高的长大速度。 对于扩散型相变来说，由于界面迁移 需借助于原子的短程扩散或长程扩散， 故新相的长大速度相对较低。对于扩散 型相变来说，又分为新相长大时无成分 变化和有成分变化两类。 1）无成分变化的新相长大 设新相为α,母相为β,两相成分相同。原子振动频率为ν， ΔGV为两相自由焓差，Q为β相中一个原子越过相界进入到α相所 需的激活能，T为相变温度。当母相中的原子通过短程扩散越过相 界面进入新相中时，导致相界面向母相中迁移——新相逐渐长大。 长大速度受界面短程扩散所控制。β相中振动原子中具有激活能Q 的原子概率为 时,则β相中原子能够越界跳向α相的频率 为 即在单位时间内将有个原子从β相 跳到α相。同理，α相中的原子也可 能跳到β相 若单层原子厚度为δ，则界面的迁移速度v应为 当过冷度较小时，△GV很小，大大小于KT，此时 在这种情况下，长大速度与驱动力呈正比，新相的长大速度随 温度的降低而增大。 当过冷度很大时， △GV＞ ＞ K