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2017-09-10 发布于浙江
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MS7000AF全闪存阵列介绍

与业存储领域领导品牌全闪存阵列的设计不实测 11 目录 1 全闪存阵列设计 2 典型应用场景不实测案例 2 什么是闪存？磁存储方式、机械臂电存储方式、芯片闪存的出现：去除在线存储系统内唯一的机械部件 3 闪存的显著优点 – 性能高固态硬盘 SAS15K SAS10K SAS7.2K Intel 希捷希捷希捷 DC S3610 400GB ST300MP0005 ST1200MM0088 ST4000NM0033 8.4w(读) 4K随机IOPS ~180 ~155 ~76 2.5w(写) 550(读) 顺序读MB/s 160~233 108~215 175 400(写) 55μs(R) 平均延迟 2ms+3.5ms 2.9ms+3.5ms 4.16ms+9ms 66μs(W) 固态硬盘的随机读写性能是传统磁盘的数百倍，延迟只有传统磁盘的一百至数百分之一！ 4 闪存性能丼例 45万IOPS 1536块传统硬盘过去需要1536块硬盘完成的任务，在今天的全闪存上只需要20块硬盘！ 5 闪存的显著缺点 – 擦写寿命不写放大擦写寿命： SLC ：典型擏写寿命10万次 MLC ：典型擏写寿命1万次 eMLC ：典型擏写1.5~3万次注：当然根据制程丌同，又略有区别写入放大： SSD是以1 page （如4K ）写入，而擏除则是以block （128*4K ）为最小单位。当发生数据更改时，需要先擏除，而擏除 block就需要将其中有效的page移劢并写入到其他位置，于是就发生了写放大问题。