金属2半导体超晶格中界面电荷的生成机理3.PDFVIP

下载本文档

3
0
约2.34万字
约 6页
2017-11-04 发布于天津
举报
版权申诉

金属2半导体超晶格中界面电荷的生成机理3.PDF

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

金属2半导体超晶格中界面电荷的生成机理3

第 53 卷第 9 期 2004 年 9 月物　理　学　报 Vol. 53 ,No. 9 ,September ,2004 ( ) 10003290200453 09 292506 ACTA PHYSICA SINICA 2004 Chin. Phys. Soc. 金属半导体超晶格中界面电荷的生成机理李书平　王仁智 ( 厦门大学物理学系 ,厦门　361005) ( ) 2003 年 12 月 16 日收到;2004 年 1 月 12 日收到修改稿 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 　　采用 LMTOASA 能带计算方法 ,研究 Si2 3 2Al 6 001 , Ge2 3 2Al 6 001 , Ge2 3 2Au 6 001 和 Ge2 3 2Ag 6 (001) 超晶格中半导体界面电荷 Qss 的生成机理 ,结果发现 ,金属半导体相互接触时 ,接触界面处半导体原子与金属原子之间发生价电子重新分布和转移 ,导致半导体表面原子层偏离电中性而呈现出半导体界面净电荷 Qss . 该界面电荷 Qss 的生成与 Tung 新近提出的金属半导体界面化学键的“化学键极化”模型物理实质大致相同 ,两者都能说明 ( ) 界面处金属原子和半导体原子整齐排列为单晶不涉及半导体表面态的 Schottky 势垒中仍然会生成界面电荷. 关键词 : Schottky 势垒 , 界面电荷 PACC : 3120A , 7115A , 7125 模型以来 ,在许多的研究中 ,例如表面态[2 ,3 ] 、金属诱 ( ) [4 ] [5 ] 1 引言导表面态 MIGS 、和无序引入隙间态和缺陷 [6 ] 态等研究工作 ,都是基于传统的表面态费米能级在 Schottky 和Mott [1] 最早金属半导体接触势垒 “钉扎”模型. 模型中 ,没有考虑到半导体界面电荷 Qss 的作用 ,不其二是近期 Tung[7 ] 在研究中对半导体界面电能说明接触势垒高度几乎与金属功函数无关的许多荷 Qss 的生成提出一种新看法. Tung 考虑到半导体 [2 ] 表面存在大量的悬挂键 ,将金属半导体接触界面处实验结果. 随后Bardeen 提出计及界面电荷作用的费米能级“钉扎”模型 ,解释了 Schottky 势垒高度不