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基于Usart-GPU技术制作的新一代T50wPlus双路电压电流表头新思路-基于串口屏变量法制作通用工程表头概述:早年间玩8字管电压表头,用在不少的测量仪器上;后来进入到彩屏时代,开发了T50的TFT彩色液晶表头,得到坛友的热烈响应,但是这个表头也一直也就是坛友们改装下自己DIY的可调电源而已,一直进入不了工程领域和产品领域,而8字数码管就可以;综其原因居然是:彩屏显示信息丰富,表头显示的版权信息以及T50的名称无法修改,不能适合厂家的产品,而源程序级别的改造又过于复杂,且无法授权操作,因此原先的彩屏表头作为仪表的一个公共器件是不可能的;如何制作一款用户可以自行定制界面以及操作逻辑的表头用于工程显示是我们一直都在思维的事情,这个思维一直持续了2年;在做完Usart-GPU串口屏的产品之后,突然发现,可以将T50w的表头和串口屏的代码合二为一,于是一切都迎刃而解了;整体性能:1、采用2.8吋400X240分辨率的高分屏显示,比原先的220X176的显示效果就不说了。2、电压27K对2.7K 1:11分压,因此电压量程3.3*11=36.3V,采用单片机的12位AD,因此采样分辨率为36.3V/4096=0.00886V,由于AD的精度为+-3LSB,虽然采用的过采样等手段保证精度,但是在+-0.027V内跳动属正常精度;(这个范围是指对电池的测量,实际上27mV很多电源的纹波都无法保证);3、电流采用25毫欧的采样电阻,运放放大电阻分压比为:1.5K:27K,即放大19倍,因此计算出电流为6.9A左右,为了保证一定的余量,我们定义表头的满量产为5A;同样电流分辨率为1.7mA左右,+-3LSB为+-5.4mA;4、双路共地设计,表头使用+5V电源,可由串口端接入,但是功率地必须由MainGND接入,否则会导致测量不准;5、板上仍然预留A004模块的位置,这样可以将表头的供电范围扩展到28V(资料数据,实际建议不超24V),这样可以从测量电压中“偷电”;6、板载9926双路MOS,可以通过GPU语句对电压电流设置上下限,并可控制MOS管,方便做类温度控制的仪器;7、双路带有AH,WH测量,配合MOS管,其实很容易做出类似锂电池放电容量测试的程序;从电路上可以看出,和T50w没有什么大的区别,主要改进:1、MCU增加了一片25Q16的存储器,用于存储汉字点阵,图形,以及用户编制的GPU语句;2、仍然是双OP07电流放电电路和双路共地低端采样,采样电阻也换成了精度更高的美国威盛DALE的采样电阻;3、增加了9926双路MOS,单片机可以设定电压电流的上下限以通知MOS关断;表头的基本使用:第二路接法参考第一路,注意共地的问题;图中的粗线代表功率线,一定得够粗,细线为电压检测,电流很小,很细的线就可;校准与DEBUG校准的步骤1、同时按住AN1和AN2,上电,此时屏幕出现黑屏,松开AN1和AN2 ,系统进入校准界面:2、此时,系统提示“请将V1+(IN) 和 V2+(IN) 一同接 +5V 基准电压,然后按AN1 按钮;”,按提示操作,此步校准2路电压;3、之后,系统显示:“请将GND1 接负载负极,辅助电源+接负载正,调整当负载电流 200mA时(可以串万用表电流档),然后按AN1 按钮;”,此步校准第一路电流的低端;4、之后,系统显示:“请将GND2 接负载负极,辅助电源+接负载正,调整当负载电流 200mA时(可以串万用表电流档),然后按AN1 按钮;”,此步校准第二路电流的低端;5、显示“请将GND1 接负载负极,辅助电源+接负载正,调整当负载电流 2A时(可以串万用表电流档),然后按AN1 按钮”,此步校准第一路电流的高端6、显示“请将GND2 接负载负极,辅助电源+接负载正,调整当负载电流 2A时(可以串万用表电流档),然后按AN1 按钮;”,此步校准第二路电流的高端7、系统显示“请重启设备;”断电重启,校准完成;进入Debug界面:按下AN3不放,上电,系统进入debug界面,将实时输出AD的采样值,用于判断是电路硬件有问题还是校准数据有问题;==========================以下是高级应用,仅供参考,不提供客服===============GPU编程:在使用GPU编程之前,请仔细阅读有关GPUmaker的操作方法:详细见文档:/dn/d.php?n=g1DR2;CLS(0);PIC(180,125,1);DS24(40,14,T50wPlus,2);DS32(140,10,双路电压电流表,2);DS24(160,50,----基于GPU技术制作,2);DS16(10,175,出品:APACHECTL,3);DS16(10,195,网站:http://www.A-DIY.cn,3);DS12(10,2
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