二章 半导体二极管及其基本电路.ppt

理想模型建立的条件是 （1）当实际电路中外电路电源电压远比二极管的管压降大时 （2）应用于电路分析中的近似估算。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2、恒压降模型：（又称为近似特性和模型） 建模思路：在理想模型基础上，当二极管正向导通时，其管压降UD不再忽略为0 （UD≠0）, 而是一个常数Ur,它不随流过二极管的电流而变化。即有：UD= Ur = 0 .7V 硅管 0.3V 锗管 则相对应的近似特性和模型见图。 建模条件 （1）只有当流过二极管的正向电流iD≥1mA才可正确使用。 （2）应用于近似计算。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 3、折线模型：（又称为折线近似特性和模型 ） 建模思路：在恒压降模型的基础上，认为当二极管正向偏置时，其管压降UD≠0且UD ≠常数 Ur，而是变化量。即UD随流过二极管的正向电流iD的增加而增加。恰体现U=RI之间的关系，因而此模型用一个电动势串接一个电阻rD来表示。且电动势的值为门坎电压Uth= 0.5v（Si管） 0.1v（Ge管） 用KVL定律可得：UD=0+ ur+ iD. rD 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2、ＰＮ结外加反向电压（反偏）：将外电源的正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区,使 P区的电位低于N区的电位，称为反向接法或反向偏置，如图2-７(ｂ)所示。 此时外加电压在阻挡层内形成的电场与自建电场方向相同, 使自建电场增强, 阻挡层变宽。显然, 动态平衡被破坏，少子漂移作用强于多子扩散作用, 可忽略扩散电流的影响。而少数载流子在电场作用下作漂移运动产生的空穴电流与电子电流，从外部看方向一致，均由电源正极通过Ｎ区、Ｐ区到达电源负极，恰与正向电压时相反,便称此电流为反向电流。 由于反向电流是由数量极少的少数载流子漂移所形成的, 故反向电流很小。这样从外部宏观看，电流流到PN结时似乎被堵截，即PN结呈现的反相电阻很高，高达几百千欧以上，处于反向“截止状态”。 最后须注意杂质半导体中，多子是掺杂产生的，少子则是半导体材料本身中的价电子当受热激发而产生的。1）在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，而且当外加反向电压超过零点几伏时, 少数载流子基本全被电场拉过去形成漂移电流, 此时反向电压再增加, 载流子数也不会增加, 因此反向电流也不会增加, 故称此电流为反向饱和电流, 即 ＩＤ＝－ＩＳ。 2）随着环境温度的升高，少数载流子的数量随之增多，即使是在相同的反向电压作用下，反向电流也会因温度升高而增大，也就是说温度对反向电流的大小影响很大。 总结：PN结的特性为单相导电性即 PN正偏时，结电阻很低，导通状态， 正向电流较大 PN反偏时，结电阻很高，截止状态， 反向电流较小 根据理论分析，流过PN结的电流I与PN结两端的所加电压V之间的关系为（即伏安特性方程） (1-1) 三、ＰＮ结电流方程（伏安特性方程） 式中, Ｉ为流过ＰＮ结的电流；U为ＰＮ结两端电压； 称为温度电压当量或热电压, 其中k为玻耳兹曼常数, Ｔ为绝对温度, q为电子的电量, 在室温下即Ｔ＝３００Ｋ时,ＵＴ＝２６ｍＶ（重要参数）； ＩＳ为反向饱和电流。 下面对此ＰＮ结电流方程进行分析并作图： 1）当PN结正偏时，电压V为正（ V ＞0），如果V VT 几倍以上， e V /VT －1＞＞1,上式可改写为： 　即I随V按指数规律变化。 具体关系曲线如一象限。 2）当PN结反偏时，电压V为负（V＜0）， |V|只要大于VT几倍以上， e V /VT→0,上式可改写为： 其中负号表示流过PN结的电流I与正向参考电流反向。 一般情况下，反向饱和电流Is值较小，这样具体关系曲线如图三象限。 这便是据电流方程分析出的伏安特性曲线，但实际正确的曲线中还有一段，即当所加反向电压增大时，I=IS。而当|V|=V（BR）（击穿电压）时，只要|V|稍有增加，反向电流I则会急剧增加，即发生了反向击穿。 图 2 - 8 PN结伏安特性 四、 ＰＮ结的反向击穿特性 1、电击穿：PN结处于反向偏置时, 在一定电压范围内, 流过ＰＮ结的电流是很小的反向饱和电流。但是当反向电压