observation and measurement of negative differential resistance on ptsi schottky junctions on porous silicon观察和测量的负微分电阻ptsi多孔硅肖特基结.pdfVIP

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2017-09-11 发布于上海
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observation and measurement of negative differential resistance on ptsi schottky junctions on porous silicon观察和测量的负微分电阻ptsi多孔硅肖特基结

Sensors 2010, 10, 1012-1020; doi:10.3390/s100201012 OPEN ACCESS sensors ISSN 1424-8220 /journal/sensors Article Observation and Measurement of Negative Differential Resistance on PtSi Schottky Junctions on Porous Silicon 1 2, 3 Seyedeh Maryam Banihashemian , Hassan Hajghassem *, Alireza Erfanian , 4 4 5 Majidreza Aliahmadi , Mansor Mohtashamifar and Seyed Mohamadhosein Mosakazemi 1 Department of Physics, Islamic Azad University, Qom Branch, Qom, Iran; E-Mail: banihashemian_physics@ 2 Electrical Engineering Department, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran 3 Electrical Engineering Department, K.N. Toosi University, Tehran, Iran; E-Mail: erfanian@icee.ac.ir 4 Electronic Research Center, Tehran, Iran; E-Mails: mr_aliahmadi@ (M.A.); TAH1965_MOH@ (M.M.) 5 Qom Payame Noor University, Iran; E-Mail: mh_moosakazemi@pnu.ac.ir * Author to whom correspondence should be addressed; E-Mail: h_hajghassem@sbu.ac.ir; Tel.: +98-21-220-19991; Fax: +98-21-228-16048. Received: 19 November 2009; in revised form: 29 December 2009 / Accepted: 18 January 2010 / Published: 27 January 2010 Abstract: Nanosize porous Si is made by two step controlled etching of Si. The