SiCl-%2c4-%2fH-%2c2-外延生长单晶硅反应机理的理关于的分析研究.pdfVIP

SiCkJH2外延生长单晶硅反应机理的理论研究 SiCh／H2外延生长单晶硅反应机理的理论研究 研究生：李钠 指导教师：孙仁安 学科专业：物理化学 中文摘要 作为硅源，在常压氢气氛下实际外延生长单晶硅的整个过程的微观反应机理进行了理论 研究。计算得到了各反应通道中的反应物、过渡态和产物的构型，给出了每个反应通道 的反应活化能。对所有过渡态的虚频振动模式进行了分析，并进一步作IRC(内禀反应 坐标)路径分析，来最终确认我们所找的过渡态是准确的。 生成硅原子。分别用Si2、si4、Si9H12原子簇模拟硅衬底，计算结果表明：在气相中不能 直接生成的si原子可以在硅衬底上生成并吸附于衬底上，从而完成晶体生长。SiCh吸附 后的产物与H2的反应均要低于其在气相反应中所需的活化能，因此反应主要在村底上发 生，且村底在反应中起到了一定的催化作用。用TST方法计算了在900．1600K温度范围 内备反应的速率常数，可以得到：整个气相反应的决速步为反应的前两步。而SiCI。在衬 底表面吸附过程速率常数很大，反应很快。硅衬底表面吸附分解后的产物与I-12间的反应 速率相比之下慢很多，是反应的决速步，但比在SiCl4与H2在气相中直接反应的反应速 率要大的多。 本论文能解释该体系气相外延生长单晶硅的～些实验现象，从理论上给出了化学反 应的微观反应机理，为实验工作者设计实验工艺以及提高工作效率，提供了动力学信息。 关键词四氯化硅外延生长反应通道速率常数理论研究 nI SiChYrl2外延生长单晶硅反应机理的理论研究 第一章 前言 1．1引言 现代信息技术的飞速发展，已成为促进社会发展和进步的关键技术。信息技术的基 础和关键就是微电子技术，而微电子技术的核心是集成电路。生产集成电路的最重要的 基础功能材料就是半导体硅材料，它是微电子工业和信息产业的基础。 半导体表面结构．薄膜生长以及无机和有机分子在半导体表面的生长已经逐渐成为 研究的熟点领域II．5】，现代徽电子行业中关键技术之一就是在单晶硅及其它衬底材料外延 生长单晶薄膜。外延技术是指在～定的条件下，在单晶衬底片上，沿单晶的结晶方向生 长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新单晶层，生长薄膜 的技术主要有物理气相沉积法，包括分子束外延(MBE)，脉冲激光气相沉积法(PLD) 和溅射法，化学方法主要有化学气相沉积法(CVD)，金属有机化学气相沉积法(MOCVD) 等等。CVD方法应用在半导体工业生产上已经超过三十年了。其具有独特的优点，例如 低的衬底温度。生长成分可控，操作安全可靠，降低薄膜生长温度，适合大规模薄膜生 长等等【6】。目前，硅外延片主要用来制作CMO$电路，各类晶体管以及绝缘珊，双极晶 体管(1GBT)等嗍。 为硅源来进行硅外延片的生产，广泛的应用于实际的生产和生活中fT．Is]，在实验研究的同 时，大量的理论工作者对其反应机理进行了理论探讨”“q，但是，SiCl4作为一种重要的 硅源，在进行外延生长的过程中，其气相反应以及与衬底表面的相互作用机理还没有人 对其进行系统的研究。本工作主要对以SiCh作为硅}l蕞，在常压氢气氛下在硅村底上外殛 生长单晶硅的整个过程的微观反应机理进行理论研究。 1．2 siCl栅2外延生长单晶硅反应实验研究状况 SiCl4，}12外延生长单晶硅反应机理的理论研究 SiCl4／H2外延生长单晶硅(反应装置如图】所示)以其广泛的应用性引起了科研工作 者们的极大兴趣， 对其实验过程的研究已有大量文献报道。 Eihamt t口tlCl ：日汹n 埘r’chIoriil4 ¨口¨and hp出啦n (kI^¨x