中压mosfet的重要参数对二次侧同步整流电路设计的影响.pdfVIP

中壓 MOSFET 的重要參數對二次側同步整流電路設計的影響 作者 ：Allan Chiu ， FAE Manager 1. 序言 當輸出電流(output current)較高時 ，為了提高整體效率(overall efficiency) ，功率密度(power density) 及降低元件溫度(component temperature) ，中壓(medium voltage ，40V~200V) MOSFET常被用於同步整流電路去取代在二次側(Secondary side)的輸出二極體。 在電路中 ，MOSFET 的參數Rds_on並不是唯一的考量 ，像為了符合效率在輕或中負載(light or middle load) 的要求 ，Qg及Coss需要被考慮 。在某些拓樸(topology) ，使用內建Schottky diode 的MOSFET 也許對輕負載效率有所提升 。在短路時 ，電壓突波較大(higher voltage spike) ，二次側MOSFET 常被迫選用較高的汲極至源極電壓(Vds) ，箝位MOSFET(clamping MOSFET) 的替代對於降低成本及改善效率會是有所幫助 。 在此篇文章 ，我們將探討中壓 MOSFET 的參數在各種拓樸對效率不管輕重載時(light or heavy load)的影響 。以及因為不同應用 、拓樸 、功率密度及元件溫度 ，MOSFET 在封裝上的 不同選擇 。 2. 中壓 MOSFET 參數在各種拓樸的同步整流電路的探討 圖一 在準諧振返馳轉換器中 ，使用 同步整流 IC TEA1791T 和 中壓 MOSFET 在二次側同步整流信號 在圖一中 ，變換時間(T0, commutation time)不做磁化(magnetization)及去磁化(demagnetization)動 作 。此期間大約只有幾百毫微秒(ns) ，其產生的交越損失(switching loss)對於整體功率損失(power loss)相對小許多 ，可忽略不計 。 在本體二極體導通時間(T1, body diode conduction time) ，當本體二極體導通產生足夠順向電壓壓 降(forward voltage drop)讓SR IC 輸出閘極信號(gate signal)去使MOSFET 通道(channel)導通 。在閘 極電壓(gate voltage)未超過臨界電壓(threshold level voltage)之前 ，本體二極仍然是導通的 。Qg (閘極電荷, gate charge)的大小和閘極電流驅動能力(gate driver’s current capability)的高低會影響本 體二極體導通時間的長短。Qg小驅動電流大會使本體二極體導通損失(conduction loss)減少 。 在MOSFET導通時間(T2, MOSFET conduction time) ，Rds_on是產生導通損失的主要參數 。一般 來說 ，在準諧振返馳轉換器(quasi resonant flyback converter)中 ，越低的Rds_on在低電壓輸入(low input voltage) 和重負載(heavy load)條件下能夠產生較低的損失 ，相對帶來較高效率(higher efficiency) 。在關斷(turn o