功率场效应晶体管(MOSFET)原理和其驱动.pdf

功率场效应晶体管(MOSFET)原理 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控 制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区 宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达 500kHz ，特别适于高频化电力电子装置， 如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设 备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。 一、电力场效应管的结构和工作原理 电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道，同 时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用 N 沟道增强型。 电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅 MOS 管相同，但结构有很大区别。小 功率绝缘栅 MOS 管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。电 力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直 导电结构的不同，又可分为 2 种：V 形槽 VVMOSFET 和双扩散 VDMOSFET。 电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的 MOSFET 组 成。N 沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图 1(a)所示。电气 符号，如图 1(b)所示。 电力场效应晶体管有 3 个端子：漏极 D、源极 S 和栅极 G。当漏极接电源正，源 极接电源负时，栅极和源极之间电压为 0 ，沟道不导电，管子处于截止。如果在栅极和 源极之间加一正向电压 UGS ，并且使UGS 大于或等于管子的开启电压 UT ，则管子开通， 在漏、源极间流过电流 I 。U 超过 U 越大，导电能力越强，漏极电流越大。 D GS T 二、电力场效应管的静态特性和主要参数 Power MOSFET 静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参 数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。{{分页}} 1、 静态特性 （1 ） 输出特性 输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线，如图 2(b)所示。由图所见，输出特性 分为截止、饱和与非饱和 3 个区域。这里饱和、非饱和的概念与 GTR 不同。饱和是指 漏极电流 ID 不随漏源电压 UDS 的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地 UCS 一定时，I 随 U 增加呈线性关系变化。 D DS （2 ） 转移特性 转移特性表示漏极电流 I 与栅源之间电压 U 的转移特性关系曲线，如图 2(a)所 D GS 示。转移特性可表示出器件的放大能力，并且是与 GTR 中的电流增益β相似。由于 Power MOSFET 是压控器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导定义为 （1 ） 图中 U 为开启电压，只有当 U =U 时才会出现导电沟道，产生漏极电流 I 。 T GS T D 2、 主要参数 （1 ） 漏极击穿电压 BUD BU 是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。BU 随结温的升高而升 D D 高，这点正好与 GTR 和 GTO 相反。 （2 ） 漏极额定电压 UD UD 是器件的标称额定值。 （3 ） 漏极电流 ID 和 IDM ID 是漏极直流电流的额定参数；IDM 是漏极脉冲电流幅值。 （4 ） 栅极开启电压 UT UT 又称阀值电压，是开通 Power MOSFET 的栅-源电压，它为转移特性的特性曲 线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。 （5 ） 跨导 gm gm 是表征 Power MOSFET 栅极控制能力的参数。{{分页}} 三、电力场效应管的动态特性和主