7.半导体表面及MIS结构(学生)new.pdfVIP

半导体物理（56/3.5） （集成1101－02） 刘欢 2013.05 1 半导体中的电子状态 2 半导体中载流子的统计分布 3 载流子输运 4 非平衡载流子 5 p －n结 6 金属和半导体的接触 7 半导体表面与MIS结构 8 异质结 9 半导体的光电性质 7 半导体表面与MIS 结构 本章内容提要  表面态  表面电场效应  MIS结构C-V特性  硅－二氧化硅系统  表面电导 表面：固体与真空之间的分界面。 界面：不同相或不同类的物质之间的分界面。 固体有限 新兴的多学科 表面 界面 综合性边缘学科 周围的环境相互作用 物理和化学特性产生很大影响 7.1 表面态 1.理想表面和实际表面 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同， 且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 “理想表面”实际上并不存在，实际的晶体表面是一 个结构比体内复杂得多的系统。 表面处的晶格不完整，势场的周期性遭到破坏，在 禁带中产生附加能级（达姆表面能级）。 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同， 且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 “表面”并不是一个几何平面，它包括了所有不具 有体内三维周期性的原子层。 清洁表面：一个没有杂质吸附和氧化层的洁净表面 实际表面 （超高真空中短暂存在） 真实表面： 由于环境的影响，实际接触的表面往往生 成氧化物或其他化合物，还可能有物理吸附 层，甚至还有与表面接触过的多种物体留下 的痕迹。 硅清洁表面示意图 2.表面态 体内：周期性势场因晶体的不完整性（杂质原子或晶格缺陷） 的存在而受到破坏时，会在禁带中出现附加能级。 表面：一方面，类似上述体内的情形因杂质原子或晶格缺陷等 禁带中有附加能级，形成表面态。另一方面，表面的特殊性质 （悬挂键、物理吸附、化学吸附、氧化等）也会使得在禁带中 出现附加能级，从而形成表面态。 存在状态： 本征表面态：即清洁表面的电子态，没有外来杂质 外诱表面态：表面杂质，吸附原子和其他不完整性产生 表面态特性： ①类施主态，类受主态 回忆：金属半导体接触及其能级图（钉扎效应） ② 可以成为半导体少数载流子有效的产生和复合中心，决定了表面 复合的特性。（回忆复合理论） ③ 对载流子起散射作用，降低表面迁移率，影响表面电导。（回忆） ④可产生垂直半导体表面的电场，引起表面电场效应。 半导体表面处的禁带中 表面态 表面能级 电子可以填充表面能级 若电子正好填满某一能级以下的所有表面态时，表面呈电中性， 该能级称为表面中性(费米)能级，qΦ0 （距离价带顶）， 一般而言，qΦ0约为禁带宽度的1/3 电子填充不到qΦ 时：表面带正电，类施主表面态( 中性能级以下) 0 电子填充超过了qΦ0 ：表面带负电，类受主表面态( 中性能级以上) 7.2 表面电场效应 外加电场作用下半导体表面层内发生的现象（