极管及其基本电路.pptVIP

第三章 二极管及其基本电路 第三章 二极管及其基本电路 §3.1 半导体的基本知识 §3.1半导体基本知识 半导体器件特点： 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高。 3.1.2 半导体的共价键结构 1、Si、Ge的原子结构 3.1.2 半导体的共价键结构 3.2.1 PN结的形成 3.3.2 伏安特性（V-I特性）(P70) 3.3.3 二极管主要参数（P71 自学　熟悉） 二极管电路分析举例 Eg.4 全波整流电路（P97 题3.4.2） 2. 工作原理 Eg.4 全波整流电路（P97 题3.4.2） 2. 工作原理 §3.5 特殊二极管（P84） 3.5.1 齐纳（稳压）二极管 3. 主要参数 3.4.2 二极管电路的简化模型分析法： 1 理想模型： (理想二极管)  (vD ＞0正偏) 二极管导通 V D =0 r D =0 (vD 0反偏) 二极管截止 iD =0 rD =∞ 一、 二极管V-I特性的建模： 2 恒压降模型： (vD ＞ VF ) 二极管导通 vD = VF r=0 开关闭合 (vD VF) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 3 折线模型： ( P74 　自学、了解) 4 小信号模型: ( P76 　自学、了解) 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.7V 锗0.2V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 Eg.1 简单硅二极管电路：  R=10K? 解：分析可知二 极管正偏： 1 理想模型： 2 恒压降模型： 求:VDD = 10V时  I D 及V D 二、模型分析法应用举例： Eg.2 电路如图， (设D为理想二极管）  判断二极管工作状态，并求输出电压。 D导通 D2导通、 D1截止 D2优先导通 D1截止 a1 a2 b1 b2 v A0 =-15V v A0 =0V v A0 =－4V 参考点 ui 3V，二极管导通，可看作短路 uo = 3V ui 3V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 3V Eg.3 限幅电路：(P80) 思考：若用恒压降模型分析二极管，输出波形应为什么？ ui 6V 二极管阴极电位为 3 V D 3V R uo ui + + – – 若是双限幅电路又待怎样？见P97 3.4.9 u 正半周，VaVb，二极管 D1、 D3 导通， D2、 D4 截止 。 3. 工作波形 1. 电路结构 ? － u RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – ? － 3. 工作波形 1. 电路结构 RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – u 正半周，VaVb，二极 管 1、3 导通，2、4 截止 。 u 负半周，VaVb，二极 管 2、4 导通，1、3 截止 。 u ? － ? － 作 业 题 必做  (P97) ：3.4.5、3.4.6(a) 3.4.9(用理想模型分析) 选做 3.4.7  光电二极管 发光二极管 激光二极管 齐纳二极管 变容二极管 光电子器件 肖特基二极管 1. 符号 VZ IZ（min） IZ(max) ? VZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 + – 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 V I * * 基本要求： 1 了解半导体器件内部物理过程；2 理解二极管工作原理、主要参数、使 用方法； 3 掌握二极管外特性、二极管基本应用 电路及其分析方法。 §3.2 PN结的形成及特性 §3.4 二极管的基本电路及其分析方法 §3.5 特殊二极管 §3.3 二极管 3.1.1 半导体材料：（Semiconductor materials) ρ(Ω-