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2017-10-16 发布于天津
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geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

第卷第期原子核物理评论 , 暋 29 暋 4 Vol灡29 No.4暋年月 , 暋2012 12 NuclearPhsicsReview Dec. 2012暋 y 文章编号: ( ) 1007灢4627201204灢0419灢06 Geant4模拟d 电子对单粒子翻转的影响 , , 1 2 1 1 1 1 2 1 1 1 , , , , , , , 刘建德孙友梅刘杰侯明东张战刚段敬来姚会军翟鹏飞 ( , ; 1.中国科学院近代物理研究所甘肃兰州 730000 , ) 2.中国科学院研究生院北京 100049 : , ( ) 摘要利用 Geant4蒙特卡洛程序包基于 RPP RectanularParallelePiedVolume模型构建 g p , , SRAM器件单元的灵敏体积编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法 , 得到了简化器件结构的单粒子翻转截面与线性能量转移的关系曲线计算得到的翻转氁 LET LET 。 /( -2 ) 阈值和饱和截面与实验结果基本一致模拟获得了值为 · 的离子及 LET 99.69MeV cm mg Bi /( -2 ) , 值为 · 的离子和离子在器件材料中产生的电子分布图像讨论了 LET 69MeV cm mg Bi Xe 毮。 , 电子分布对翻转截面的影响计算了灵敏体积中能量沉积与电子分布的关系认为电子分布毮毮毮