厚层抗蚀剂成像特性的分析研究.pdfVIP

厚层抗蚀剂成像特性研究 光学专业 研究生肖啸 指导教师杜惊雷 从二十世纪九十年代以来，微电子机械系统(MEMS)发展迅速，促进了其 加工方法的不断完善和进步。近年来，作为制作优质大高宽比微结构的厚层抗 蚀剂光刻术以其工艺简单、制作成本低等优点受到国际上广泛重视。随着MEMS 的迅速发展，其结构愈来愈复杂，高深宽比的新型MEMS结构需要被设计和加 工，迫切需要对厚胶光刻过程的模拟。但目前关于厚层抗蚀剂光刻方面的研究， 主要局限于实验工艺的改进上，对其图形传递机理的研究做得很少，现有的曝 光、显影模型均未考虑厚层抗蚀剂光刻成像的一些特殊属性，一定程度上制约 了厚胶光刻术的深入发展和应用。本论文以抗蚀剂的曝光显影理论为基础，深 入开展了厚层抗蚀剂的成像特性的研究，可为厚胶光刻实验提供指导依据。 在论文中，基于抗蚀剂的光化学和反应动力学理论，重点研究了一些非线性 因素对厚层抗蚀剂光刻带来的影响。针对厚层抗蚀剂在曝光过程中折射率发生 了变化以及曝光参数随抗蚀剂厚度变化的特点，改进了原有的曝光模型；针对 厚层抗蚀剂显影参数随抗蚀剂厚度变化的特点以及在显影过程中出现的表面抑 制效应现象，改进了原有的显影模型。建立了适用于厚层抗蚀剂光刻的成像新 模型。 同时，在论文中还深入讨论了抗蚀剂折射率变化对光场计算带来的误差；模 拟了后烘过程对驻波效应的改善作用，论证了采用适当的后烘工艺改善抗蚀剂 光刻质量的作用；分析了驻波效应对厚层抗蚀剂显影轮廓的影响，提出了一个 可以忽略驻波效应影响的抗蚀剂厚度条件值；最后还模拟和分析了厚层抗蚀剂 显影轮廓特点并给出了实验结果。 关键词：厚层抗蚀剂 光刻 成像 模拟 曝光 显影 后烘 on of Characteristics Study Thick Imaging Photoresistsin lithography Major optics XiaoXiao Du Postgraduate Supervisor Jinglei MEMS are inrecent lotof applications micro growing rapidly years．A are to machiningtechnologies of developed fabricating thickresist an hasbeen as eriectiveandeconomical for regarded technology excellent manufacturing the