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第五章放大电路频特性FrequencyResponseofAmplifier
第五章 放大电路的频率特性Frequency Response of Amplifier Circuits 四、波特图Bode Plot 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 二、晶体管共基电流放大倍数的频率响应 单管放大电路的频率响应 分段分析单管放大电路的频率响应 中频电压放大倍数 低频电压放大倍数 高频电压放大倍数 高频电压放大倍数 单管共射电路的波特图 5.4.3放大电路的增益带宽积 5.5多级放大电路的频率响应 5.5多级放大电路的频率响应 例:已知某电路的各级均为共射放大电路,对数幅频特性如下图所示。求fL,fH,Au。 本章作业 5.2,5.4,5.6,5.8,5.12 密勒定理内容简述 已知 求 关于书中例题的说明 两级放大电路的波特图 例:已知C1=C2=Ce, 电路在中频段正常工作, 试问,电路的下限频率 决定于哪个电容? 分析某个电容的影响时,将其它并联在通路上的电容开路,串联在通路上的电容短路 分析C1对低频特性的影响 分析某个电容的影响时,将其它并联在通路上的电容开路,串联在通路上的电容短路 分析C2对低频特性的影响 分析某个电容的影响时,将其它并联在通路上的电容开路,串联在通路上的电容短路 分析Ce对低频特性的影响 分析某个电容的影响时,将并联 在通路上的电容开路,串联在通 路上的电容短路 分析C’p对高频特性的影响 1 2 3 4 5 N 1 2 3 4 5 N Z Z’ Z’’ I1 I2 I1 I2 返 回 U 1 U 2 U 2 U 1 * 5.1 频率响应概述 幅频特性 相频特性 fL :下限截止频率 fH :上限截止频率 fbw :通频带 一、频率响应特性的表达 -2700 |Au | f O f 00 φ Aum 0.707Aum fH fL fbw 900 1800 - - 典型放大电路的频率响应 Ui Uo - + + - R C RC高通电路 二、高通(high pass)电路 令 , 高通电路的幅频和相频特性 Ui Uo - + + - R C RC低通电路 三、低通(low pass)电路 , 低通电路的幅频和相频特性 高通电路波特图与近似波特图 低通电路波特图与近似波特图 五、结论 电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数 当信号频率等于下限频率 fL 或上限频率 fH 时 放大电路的增益下降 3dB 且产生 +450 或 –450 相移 近似分析中,可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性 5.2 晶体管的高频等效模型 一、晶体管的混合π模型 rb′c集电结电阻(很大可忽略不计) Cb′e′ (Cπ )发射结结电容 Cb′c′ (Cμ)结电容 gm 跨导, gmUb′e受控源 rbb′ rb′e Cπ Cμ b’ b c e Ube gmUb′e Uce Ub′e + - - + Ib Ic b′ b c e rb′e′ rb′c′ rbb′ Cb′c′ Cb′e′ 结构示意图 e′ c′ 单向化处理 将Cμ分别等效到输入回路和输出回路 rbb′ b’ b c Ub′e rb′e e Ube gmUb′e + - Uce - + = (1- )Cμ Cμ K - 1 K = Uce Ube’ K = K 简化的混合π模型 m e rbb′ rb′e ′ b′ b c Ube gmUb′e Uce Ub′e + - - + rbb′ b′ b c Ub′e rb′e e Ube gmUb′e + - Uce - + 单向化后的混合π模型 混合π模型的主要参数 与h参数等效模型比较 rbb′ Ub′e c b′ b rb′e ′ Ube gmUb′e + - 定义式: rbb′ Ub′e c b′ b rb′e ′ Ube gmUb′e + - 二、晶体管电流放大倍数的频率响应 -20dB/十倍频 特征频率 5.3 场效应管的高频等效模型 + - g s d + - 一、完整的高频等效模型 二、简化的高频等效模型 + - g s d + - + - g s d + - + - g s d + - d + - g s + - 进一步简化 单位增益频率 中频等效 低频等效 高频等效 开路输出电压
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