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知識管理作業三(積體電路製程 積體電路是將各種電路組件包括電阻、電容及電晶體集積連接於半導體表面而形成的電路。經過晶圓製造的步驟後，此時晶圓還沒任何的功能，所以必須經過積體電路製程的流程圖：磊晶 微影 氧化 擴散 蝕刻 金屬連線 磊晶(Epitoxy) 磊晶一詞源自於希臘文的epi(在上)和?taxis(有秩序的排列)，其意乃有秩序的排列在其上。磊晶是單晶基板上成長薄膜的延伸，經由在單晶基板上增添的原子而形成的一個單晶結構的連續體。其原理可分為： (１) 液相磊晶 (Liquid Phase Epitoxy，LPE) ????(２) 氣相磊晶 (Vapor Phase Epitoxy，VPE)(３) 分子束磊晶 (Molecular Beam Epitoxy，MBE)微影(Lithography) 微影 (Lithography) 製程的技術，是在晶片的表面上覆上一層感光材料光阻，利用光源的平行光，透過光罩打在這層感光材料上。因為光罩上有IC佈線的圖案，因此透過光罩的光會在感光材料上，顯出IC佈線的影像，這個步驟稱為曝(Exposure)。此時有兩種做法，每一種做法需使用不同特性的感光材料，第一種做法是圖案上透光的部份是佈線圖形，而另一種做法是圖案上不透光的部份才是佈線圖形。由微影製程所形成的光阻圖案，並不是元件的最終圖形，僅是電路圖形的複製而已。為了加強光阻覆蓋的特性，使得圖案的轉移有更好的精確度，整個微影製程包含了七個細部動作。表面清洗塗底 (Priming)光阻覆蓋軟烤 (Soft Bake)曝光顯影硬烤。 圖二、微影蝕刻形成電路圖形 氧化（Oxidation） ???????積體電路製程技術中，在半導體晶片的表面上形成一層穩定的氧化層是一項非常重要的關鍵步驟。此氧化層主要目的是保護P-N接面不受外界環境的污染，亦可當作電性絕緣之用。此氧化保護層是將矽晶片置於高溫的氧化環境中加熱而成。擴散（Diffusion） ???????在半導體工業上主要是藉由高溫將摻質(doping)原子滲入半導體晶片中。擴散的方式可以藉由單一的操作程序並且可同時處理大約200至250個晶片，它的優點是可產生較小的逆向漏電流、高品質的p-n接面、以及較小的晶格破壞，所以被廣泛地使用。 　蝕刻（Etching） ???????所謂蝕刻即指經由乾、濕的物理作用或化學反應之過程去除工件上某特定區域上之薄膜。在微影術步驟完成之後，光罩的圖案被複製在光阻層上，再應用蝕刻去除光阻層上不要的部份，以便進行下一步加工。目前在半導體製程上有二種蝕刻的方法，而兩者的差別取決於蝕刻劑為液態溶液或氣體。 金屬連線(Metallization) ??????? 金屬連接是在各微小元件之間建立彼此連接的線路。在高度真空下，將鋁加熱並蒸發為氣態，如此氣態鋁便可均勻地蒸鍍於晶圓上。在此製程裡所選用的金屬必須要有低電阻質，容易加工處理，我們一般所使用的是鋁、銅、鎢這類的金屬材料，而金屬連線間的絕緣層則多半是使用二氧化矽。由於線寬技術的縮小化，以及各種新材料的引進所增加的複雜性，使得我們在金屬連線製程上必須引進一些材料，來讓可靠度提高，例如鈦化鎢、氮化鈦、鈦等多種金屬化合物。 圖三 碩研科管二甲 M99Q0202 黃呈旭