2012半导体物理第一章-4+.ppt

* Si1-xGex和硅的能带间的 主要差别是Si1-xGex合金在布 里渊区的X点处能带分裂， 在硅X点是二度简并的，例如 硅的X1在Si1-xGex合金中分裂 为X1v和X3v . X=? 分子束外延法(MBE) 在硅衬底上外延生长Si1-xGex合金层薄膜，可生长与衬底硅晶格失配率高达百分之几的Si1-xGex外延层，当生长的外延层厚度在适当的范围时，晶格失配可以通过Si1-xGex合金层的应变得到补偿或调节，仍可获得无界面失配位错的Si1-xGex合金层(赝晶生长、赝形生长、或共格生长)。 生长的Si1-xGex合金层称为应变Si1-xGex合金。这种应变Si1-xGex合金具有独特性质. 图1-36． 曲线I是无应变的体材料 Si1-xGex合金的禁带宽度 与Ge组分的关系曲线。 Ge组分x85％时， Si1-xGex的禁宽变化小于 0.2eV，Si1-xGex能带结构 与硅晶体的能带结构类似. 导带底仍在布里渊区的X点 附近. 当85％x100时， Si1-xGex能带结构与Ge晶体能带结构类似.[111]能谷为导带底，合金的能带类似于锗的能带. 锗含量减小，[111]导带极值和[10 0 ] 导带极值以不同速率相对价带顶向上移动．[111]极值上升较快，在x＝85％时，两种能谷达到同—水平，在锗含量小于85％后，[100]能谷代替[111]能谷为导带底成为类硅了。 无应变的体材料Si1-xGex合金在4．2K低温下，其禁宽Eg(x)与锗组分x的关系为 Eg(x)=1.15-0.43x+0.0206x2 （eV）(0x0.85) (1-68) Eg(x)=2.01-1.27x （eV） (0.85x1) (1-69) 图曲线2、3表示应变Si1-xGex合金的禁带宽度与锗组分的关系 曲线2表示轻空穴带的Eg(x) 曲线3表示重空穴带的Eg(x) 应变Si1-xGex合金的禁宽随着锗组分x增大而变窄的趋势远快于无应变的体材料Si1-xGex合金。可以利用不同大小的应变来调节应变Si1-xGex合金的禁带宽度。 硅[001]衬底上赝晶生长的应变Si1-xGex合金，在所有锗组分范围内部具有类硅的能带结构. 应力存在，导带和价带能谷简并度降低，沿[001]旋转的两椭球向上平移，而沿[010]和[l 00]旋转的四个椭球向下平移，将六度简并的导带能谷分裂为一个降低了能量的四度简并导带和一个二度简并导带。 价带顶简并的轻、重空穴能带发生分裂．重空穴带相对轻空穴带上移。 应变Si1-xGex合金层的禁宽将由上移的重空穴价带顶和下移的四度简并导带底决定。 因此，应变Si1-xGex合金的禁宽小于无应变的体材料Si1-xGex合金，应变Si1-xGex合金的禁带宽度与锗组分x的关系为： Eg(x)=1.12-0.96x+0.43x2 - 0.17x3 (eV) (1-70) 改变锗组分x及应变大小，可调整应变Si1-xGex合金的禁宽，有意义。 Eg(x)=1.12-0.96x+0.43x2 - 0.17x3 (eV) 1．10 宽禁带半导体材料 了解 禁宽等于或大于2．3eV的半导体材料--宽禁带半导体, SiC,金刚石、II族氧化合物、II族硫化合物、II族硒化合物,III族氮化合物以及这些材料的合金．　　　　　　　　 　　SiC、GaN和III族氮化合物．其具有禁宽大、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高特性，适合于制作高频、高功率、高温、抗辐射和高密度集成的电子器件．　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 用其宽禁带的特点，可制作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探侧器件. 1．10．1 GaN，AlN的晶格结构与能带 III族氮化合物，主要包括GaN，AlN,InN, AlGaN,GaInN,AlInN,等. 禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝和紫外光谱范围。一般呈纤锌矿型结构，一定条件下，也以闪锌矿型结构存在（以正四面体结构为基础构成）。 纤锌矿型结构具有六方对称性．而闪锌矿型结构具有立方对称性，二者的电学性质有显著的不同. 闪锌矿型结构的GaN及AlN的特性 特性 GaN AlN 禁宽（eV)RT 3.2