铝薄膜和铅薄膜的电子生长褪火对铅薄膜稳定性的影响、铅薄膜中电子态及利用STM进行原子操纵的分析研究.pdfVIP

摘要 铝蔫朝斯阵台薄膜的电子生长、褪火对铝薄膜隐定性的影响、 铝满膜中电子态及利用sTM进行原子操纵的研究 摘要 本文的工作主要是利用分子束外延技术，扫描隧道显微镜和角分辨光电子能 谱研究铝薄膜的电子生长，褪火对铅薄膜的影响，铅薄膜中电子的量子阱态，以 及利用sTM对原子进行巨量操纵。 在利用两步生长法制备原子量级上平的铝薄膜的研究中，我们首先利用 系统铝薄膜的I临界厚度为4ML，通过分析指出薄膜中电子的量子阱态对薄膜的稳 定性起很大的作用，利用传输运动和漏斗效应讨论了薄膜生长的动力学途径，利 用电子生长模型从能量的角度解释了临界厚度。从生长的过程，我们利用传输运 动和漏斗效应解释了薄膜的临界厚度，传输运动和漏斗效应相互竞争使得当覆盖 度达到4ML时薄膜形成。从电子生长的角度看，薄膜中电子的量子阱态，界面处 的电荷转移，界面诱导的弗里德尔振荡三个因素决定薄膜的稳定性，于是薄膜超 过某一厚度后稳定，随后稳定厚度的薄膜以一定的周期振荡，超过此厚度稳定薄 膜的厚度为临界厚度，振荡中相对稳定的厚度是幻数厚度。我们实验得到，铝硅 系统的临界厚度为4ML，此结果与uPs的结果正好相符。 在si(111)一7×7上生长铅的实验中，我们研究了褪火和覆盖度对薄膜稳 定性及生长模式的影响。通过研究我们发现，随覆盖度的变化，褪火到室温的铅 的铅，在145K低温形成铅薄膜，褪火到室温铅薄膜变成岛；覆盖度大于lOML的铅 薄膜褪火到室温稳定，不会变成岛。随覆盖度的变化，褪火到室温的铅薄膜的生 型解释了我们的结果，并改进了电子生长模型。在利用uPs研究薄膜粗糙度对量 子阱态峰型的影响的实验中，我们发现：薄膜粗糙，峰型宽；薄膜平整，峰型锐 利。 在铅岛上进行原子操纵实验中，我们利用STM及电子生长的动力学机制成功 将生长控制在原子层的量级上，将单层或双层的原子排列在我们提前生长的铅岛 上。在对原予进行操纵时，体现了电子能量最小和表面自由能最小之间的振荡， 摘要 活像以单摆势能与动能之间的转化，我们把这种现象叫做自由能单摆。利用这种 原子操纵的办法，我们还可以按自己的意愿将己生长的岛排成我们想要的图案。 总之，我们得到原子量级上平的铝薄膜，并且其临界厚度为4ML；铅在 Si(111)一7×7上生长的实验中，我们发现温度不同，I临界厚度的变化，从而改进 了电子生长模型，利用STM和uPs得出：薄膜粗糙度对薄膜中电子量子阱态峰型的 影响。原子操纵实验中，我们成功的将巨量的原子排列在铅岛上，实现了原子的 巨量操纵。 关键词：量子阱态、电子生长模型、原子操纵、临界厚度、紫外光电子能谱、 高能电子衍射、分子束外延、扫描隧道显微镜。 分类号：TN204 Abstract TheEfkct tothe ofLead 0fAnnealing Fihn， Stability ElectronStatesin LeadFilm and Manipulate Mass Atoms STM Using Abstract Inmis ofthe dissenation，electronaluminumevolvemem growch