分子束外延InSb薄膜缺陷分析-激光与红外.PDFVIP

第４４卷　 第９期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．９ 　 ２０１４年９月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，２０１４ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１４）０９１００７０４ ·红外材料与器件 · 分子束外延 ＩｎＳｂ薄膜缺陷分析 周　朋，刘　铭，邢伟荣，尚林涛，巩　锋 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标，首 先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同生长条件对ＩｎＳｂ分子束外延薄膜的 晶体质量的影响，并采用金相显微镜、Ｘ射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜及Ｘ射线能谱仪等 检测手段对外延膜缺陷进行了研究，综合分析了各缺陷的特征、起因、消除方法等。通过优化 －２ 外延条件，外延膜宏观生长缺陷最低值达到４８３ｃｍ 。 关键词：ＩｎＳｂ；缺陷；ＭＢＥ；薄膜材料 中图分类号：ＴＮ２１４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１４．０９．０１２ ＡｎａｌｙｓｉｓｏｆｄｅｆｅｃｔｓｏｎＩｎＳｂｆｉｌｍｇｒｏｗｎｂｙＭＢＥ ＺＨＯＵＰｅｎｇ，ＬＩＵＭｉｎｇ，ＸＩＮＧＷｅｉｒｏｎｇ，ＳＨＡＮＧＬｉｎｔａｏ，ＧＯＮＧＦｅｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｈｉｇｈｏｐｅｒａｔｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｅｔｅｃｔｏｒｈａｓｂｅｃｏｍｅａｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｄｉｒｅｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅ３ｒｄｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃ ｔｏｒｓＩｎｏｒｄｅｒｔｏａｃｈｉｅｖｅｔｈｉｓａｉｍ，ｄｅｆｅｃｔｓｏｎｔｈｅｄｅｔｅｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｓｍｕｓｔｂｅｒｅｄｕｃｅｄＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｄｉｆｆｅｒ ｅｎｔｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｎＩｎＳｂｗａｆｅｒｓｇｒｏｗｎｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙｉｓｓｔｕｄｉｅｄ，ｍｅｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ， ｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅａｎｄＸｒａｙｄｏｕｂｌｅｃｒｙｓｔａｌｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎａｒｅｕｓｅｄｔｏｓｔｕｄｙｔｈｅｄｅｆｅｃｔｓＴｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ｏ ｒｉｇｉｎａｔｉｏｎａｎｄｅｌｉｍｉｎａｔｉｎｇｍｅｔｈｏｄｓｏｆｔｈｅｓｅｄｅｆｅｃｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄＢｙＭＢＥｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ，ｔｈｅｂｅｓｔｄｅｆｅｃｔｄｅｎｓｉｔｙｈａｓ －２ ｒｅａｃｈｅｄ４８３ｃｍ  Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂ；ｄｅｆｅｃｔｓ；ＭＢＥ；ｔｈｉｎｆｉｌｍｍａｔｅｒｉａｌ １　引　言 本文对ＩｎＳｂ分子束外延薄膜中的各种缺陷进 随着红外探测器技术的发展以及军事的需求， 行归类分析，对其产生机理进行探讨，并找出外延缺 第三代红外探测器逐渐向高性能、低成本、高温工 陷的起因和消除方法，从而降低了ＩｎＳｂ材料的外延 作、双多色方向发展。其中，实现高温工作是第三代 缺陷，进而达到减小器件的暗电流，实现红外探测器 ［１］ 红外探测器发展的一个重要分支 。ＩｎＳｂ由于其 高温工作的目的。 优异的光电性能而成为制备高性能中波（３～５ ｍ） ２