《电工学》_秦煌_电子技术_第14章.ppt

第十四章 二极管和三极管 总结： 1、加正向电压时，PN结处于导通状态，呈低电阻，正向电流较大。 2、加反向电压时，PN结处于截止状态，呈高电阻， 反向电流很小。 二极管电路分析 二极管电路分析 结 束 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 深度饱和时 硅管UCES ? 0.3V 锗管UCES ? 0.1V 此区域中 ： UCE?UBE, 发射结正偏，集电结正偏， ? IBIC ， 称为饱和区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 此区域中 ：IB=0, IC=ICEO UBE 死区电压， 发射结反偏，集电结反偏， 称为截止区。 输出特性三个区域的特点 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： UCE UBE ，IC = ?IB , 且 ?IC = ? ? IB + UBE 0 ? C T E IC IE IB + UCE ? B - UBC 0 + (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE ? UBE ， ?IB IC + ? IE B + UBE 0 ? C T E - UBC 0 + (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 UBE 死区电压，IB=0 ， IC=ICEO ?0 IC = 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? IE B + UBE ≤ 0 ? C T E - UBC 0 + U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 二、伏安特性： 非线性 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半或三分之二。点接触型D 管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。 通常二极管击穿时，其反向电流剧增，单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要是利用它的单向导电性，它可应用于整流、检波、限幅、保护等等。 U I 导通压降 实际二极管：正向导通 ---- 硅 0.6~0.8V 锗 0.2~0.3V 定性分析：判二极管的工作状态 ---- 导通、截止 U I 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 导通压降 硅0.7V 锗0.2V 分析方法： 1. 断开二极管 2. a) 分析其两端电位高低， b) 或其两端所加电压 UD 的正负。 3. a) V阳 V阴 → 导通 V阳 V阴 → 截止 b) UD 0 → 导通 UD 0 → 截止 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例 例1：二极管半波整流 例2：已知：管子为锗管，VA = 3V