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第7章合成与制备-材料物理化学2013秋
2013-10-24
内 容
材料物理化学
固体功能材料(部件)的种类
Physics and Chemistry of Materials
单晶材料的生长基本原理
第六章 固体功能材料的制备 (1)
Si材料的制备和单晶生长
SiC 半导体单晶生长
施鹰;yshi@shu.edu.cn SiC (f)/SiC 复合材料
上海大学材料学院电子信息材料系
6.1 不同类型的微电子材料产品
1
2013-10-24
为什么选择Si
1.资源丰富,且易于提高到极
高的纯度;
2.易于生长出大直径低位错
的单晶:直径 450mm,442kg的
Si单晶
3.工作温度高,带隙适中,
不因本征激发而影响器件性能;
4.易于对Si进行宽范围可控n
型和p掺杂,迁移率性能良好;
5.易于通过沉积工艺制备出
不同结构特性的外延薄层材料. 7. 欧姆接触性质好;
8. 是无毒绿色材料
6. 具有相当优良的力学性能,
同时易于截断和解理Si单晶
Si从原料到单晶
SiO 的优点 1. 氧化特性好;硅表面上很容易制
2 备高质量的介电层--SiO ,方
2
便地用于器件中的电气绝缘和表
面钝化;
2. 化学性质稳定,高温性能稳定;
3. 能够担当化学阻挡层和扩散阻
挡层;但可用化学方法使其微结
构化易于去除;
4. 透明性能优良,有利于高质量
抛光;
5
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