逻辑(第7章).ppt

存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 一、静态随机存储器（SRAM） 1、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 举例 二、LSI中用的逻辑图符号 现场可编程逻辑阵列FPLA FPLA举例 PAL（Programmable Array Logic） 二、PAL的输出电路结构和反馈形式（自学） 三、 OLMC 工作模式（自学） FPLA与 PROM的比较 FPLA的基本特点:与阵列、或阵列都是可编程的 FPLA结构框图 一、PAL的基本结构 基本结构形式：可编程与阵列+固定或阵列+输出电路 编程单元：未编程前，所有的交叉点均有熔丝 P393:图8.3.2 PAL举例 GAL（Generic Array Logic） 一、GAL的电路结构形式 基本结构形式：可编程与阵列+固定或阵列+可编程输出电路 OLMC 编程单元：采用电可擦除的CMOS制作（E2CMOS），可改写 通过编程设置不同的输出状态。 GAL16V8电路结构 逻辑宏单元 输出缓冲器 输入缓冲器 时钟信 号输入 可编程与阵列 固定或阵列 输出反馈/输入缓冲器 二 、输出逻辑宏单元OLMC 乘积项数据选择器 三态数据选择器 输出数据选择器 反馈数据选择器 * * 第七章 大规模集成电路 半导体存储器 概述 ROM 大规模集成电路 知识结构图 RAM 存储器容量扩展 定义 分类 技术指标 可编程逻辑器件 概述 FPLA PAL GAL 特点 分类 图形符号 第一节 半导体存储器 概述 只读存储器（ROM) 随机存储器（RAM) 存储器容量的扩展 用存储器实现组合逻辑函数 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 字数： 字长：每次可以读(写)二值码的个数 总容量 存取速度 　　反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 半导体存储器的主要技术指标 一、掩模只读存储器（又称固定ROM） 特点：出厂时已经固定，用户不能不能更改，适合大量生产;结构简单，便宜，非易失性。 1. ROM的构成 只读存储器ROM 字线 容量=字线×位线 位线 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、 可擦除可编程ROM（EPROM）（自学） 1、紫外线擦除的可编程ROM（UVEPROM） 写入：浮栅不带电荷，在D-S间加高压(20-25V)后，漏极PN结雪崩击穿，在Gc加高压脉冲，吸引高速电子穿越SiO2到达Gf，形成注入负电荷。 擦除：用紫外线或X射线照射，产生电子－空穴对，提供泄放通道。不能实现字擦除（只擦一个或一些字）功能。 　保存时间：在不受光线干扰的情况下，可保存10年。 SIMOS管（叠栅注入MOS管）利用浮栅是否累积有负电荷来存储二值数据。 由大量寄存器 构成的矩阵 用以决定访问 哪个字单元 用以决定芯 片是否工作 用以决定对 被选中的单元 是读还是写 读出及写入 数据的通道 随机存储器RAM 地址译码器方法 :单译码结构－n位地址构成 2n 条地址线 当地址码有效时，只对应一条字选择线有效，选择连到该字选择线上的所有存储元，在读/写命令控制下，同时从位线（数据线）上读出数据或写入数据。 被选中的存储元一定是当X选择线和Y选择线有效时交叉点的那个存储元，然后对该存储元进行读出和写入操作。 地址译码器方法 :双译码结构－由行译码器和列译码器共同译码，输出为存储矩阵的行列选择线共同确定欲选择 的地址单元。 六管N沟道增强型MOS管 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1