半导体物理第三章(教材ppt).ppt

* 以EF与Ec的相对位置区分， 并作为简并化与非简并化的条件 对P型半导体则以EF与EV的相对位置作为简并化条件。 当温度一定时，根据给定的简并化条件，可以计算半导体达到简并化时对掺杂浓度的要求。当掺杂浓度超过一定数量时，载流子开始简并化的现象称为重掺杂。 * 以含一种施主杂质的n型半导体为例，讨论杂质浓度为多少时发生简并？ ？ * 讨论 简并：ND必定是接近或者大于Nc；非简并NDNc。 发生简并时的ND与△ED有关，△ED↓，则杂质浓度较小时就会发生简并。 将 代入上式，可知对一定△ED和ND，T有2个解T1、T2，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽。 即发生简并化有一个温度范围。 * 导带、价带、禁带中载流子的统计分布 * ⒈低温载流子冻析效应 对含有杂质的半导体，当温度低于某一温度时，杂质只有部分电离，尚有部分载流子被冻析在杂质能级上，对导电没有贡献，这种现象成为低温载流子冻析效应。 当半导体中掺杂浓度较高时，低温下半导体可以处于简并状态。 3.6.3 低温载流子冻析效应 * 简并半导体的杂质能级 简并半导体是重掺杂 →单位体积内杂质原子数很多 →距离很近 →相邻杂质原子上的电子波函数将发生显著重迭 →束缚在杂质原子上的电子就可能在它们之间转移 →使孤立的杂质能级扩展为杂质能带 3.6.3 禁带变窄效应 * 杂质能带产生的影响： 杂质能带 简并半导体中杂质能级示意图 Ec Ev Eg’ ED Eg a b 杂质能带出现使 ，当杂质浓度很高时，杂质能带与导带相连 当杂质能带与导带底相连时，形成新的简并导带，它的尾部伸入到禁带中，结果使简并半导体的 ，禁带变窄效应 * 简并半导体在重掺杂时的禁带变窄效应 E g(E) 导带 价带 Eg 施主能级 非简并半导体 简并半导体 E g(E) 导带 价带 Eg 施主能级 Eg` * 半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态，其物理意义如何？ 载流子激发和载流子复合之间建立起动态平衡时称为热平衡状态，这时电子和空穴的浓度都保持一个稳定的数值，处在这中状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 2.什么是能量状态密度 能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 3. 什么叫统计分布函数，费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者，为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？ 统计分布函数描述的事热平衡状态下电子在允许的量子态如何分布的一个统计分布函数。 当E-EFkT时，前者可以过渡到后者。 第三章典型习题： * 4. 对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEFi。 证明：设nn为n型半导体的电子浓度，ni为本征半导体的电子浓度。 显然 nn ni 得证。 * 5. 试分别定性定量说明： 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流 子浓度越高； (2) 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。 证明：(1) 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则价带电子跃迁至导带所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。由公式 也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加，从而使得载流子浓度因此而增加。 (2) 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而增加。由公式可知，这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。 * 6. 假设Si 半导体中N 型杂质的掺杂浓度为Nd ，P 型杂质的掺杂浓度为Na ,请写出该半导体的电中性条件表达式；如果Nd Na ，写出在热平衡和完全电离条件下，载流子（n 和p）浓度的表达式。 （1）电中性条件表达式 其中，Nd 和Pa 分别是没有电离的施主和受主浓度。 （2）在热平衡和完全电离条件下，有 * 7. 含受主浓度为8.0×106cm-3和施主浓度为7.25×1017cm-3的Si材料，试求温度分别为300K和400K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。 解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施主浓度 则300K时，电子浓度 空穴浓度 费米能级 * 在400K时，根据电中性条件 和 得到 费米能级 答：300K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别为7.25 x1017cm-3和3.11x102cm-3，费米能级在价带上方0.3896eV处； 400 K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别近