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光催化半导体Ag2ZnSnS4的第一性原理研究黄丹鞠志萍-物理学报.PDF
光催化半导体Ag ZnSnS 的第一性原理研究
黄丹 鞠志萍 李长生 姚春梅 郭进
First-principlesstudyofAg ZnSnS asaphotocatalyst
HuangDan JuZhi-Ping LiChang-Sheng YaoChun-Mei Guo Jin
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,247101(2014) DOI: 10.7498/aps.63.247101
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.63.247101
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2014/V63/I24
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光催化半导体Ag ZnSnS 的第一性原理研究
黄丹 鞠志萍 李长生 姚春梅 郭进
1)(湖南文理学院物理与电子科学学院, 常德 415000)
2)(广西高校新能源材料及相关技术重点实验室, 广西大学物理科学与工程技术学院, 南宁 530004)
( 2014 年7 月21 日收到; 2014 年8 月13 日收到修改稿)
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算, 对光催化水解半导体Ag ZnSnS 的改性方案做了理论研
究. 在与同类化合物的带边位置比较后发现, Cu 与Ge 共掺杂能够在Ag ZnSnS 中实现禁带宽度和带边位置
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