光催化半导体Ag2ZnSnS4的第一性原理研究黄丹鞠志萍-物理学报.PDFVIP

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光催化半导体Ag2ZnSnS4的第一性原理研究黄丹鞠志萍-物理学报.PDF

光催化半导体Ag ZnSnS 的第一性原理研究 黄丹 鞠志萍 李长生 姚春梅 郭进 First-principlesstudyofAg ZnSnS asaphotocatalyst HuangDan JuZhi-Ping LiChang-Sheng YaoChun-Mei Guo Jin 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,247101(2014) DOI: 10.7498/aps.63.247101 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.63.247101 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2014/V63/I24 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyou maybeinterestedin 离子注入对ZnTe:O 中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响 EffectofoxygenimplantationonmicrostructuralandopticalpropertiesofZnTe:Ointermediate-bandpho- tovoltaicmaterials 物理学报.2014,63(23): 237103 /10.7498/aps.63.237103 微流控技术制备ZnO纳米线阵列及其气敏特性 FabricationandcharacteristicsofZnOnanowiresarray gas sensor based on microfluidics 物理学报.2014,63(20): 207102 /10.7498/aps.63.207102 4H-SiC 同质外延生长Grove模型研究 StudyonGrovemodelofthe4H-SiChomoepitaxialgrowth 物理学报.2014,63(3): 037102 /10.7498/aps.63.037102 Ag 掺杂对p型Pb Sn Te化合物热电性能的影响规律 Theeffectsof Ag-dopingonthermoelectricpropertiesof p-type Pb Sn Tecompound 物理学报.2012,61(21): 217104 /10.7498/aps.61.217104 N掺杂和N-V共掺杂锐钛矿相TiO 的第一性原理研究 First-principlesstudyofN-dopedandN-Vco-dopedanatase TiO 物理学报.2012,61(20): 207103 /10.7498/aps.61.207103 物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 24 (2014) 247101 光催化半导体Ag ZnSnS 的第一性原理研究 黄丹 鞠志萍 李长生 姚春梅 郭进 1)(湖南文理学院物理与电子科学学院, 常德 415000) 2)(广西高校新能源材料及相关技术重点实验室, 广西大学物理科学与工程技术学院, 南宁 530004) ( 2014 年7 月21 日收到; 2014 年8 月13 日收到修改稿) 通过基于密度泛函理论的第一性原理计算, 对光催化水解半导体Ag ZnSnS 的改性方案做了理论研 究. 在与同类化合物的带边位置比较后发现, Cu 与Ge 共掺杂能够在Ag ZnSnS 中实现禁带宽度和带边位置 的双重调节, 从

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