基于氧化钒热敏特性的太赫兹探测器-太赫兹科学与电子信息学报.PDFVIP

第 11 卷 第 3 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．11，No．3 2013 年 6 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Jun．，2013 文章编号：2095-4980(2013)03-0328-04 基于氧化钒热敏特性的太赫兹探测器 罗振飞 a,b ，周 逊 a,b ，李赜宇 a,b ，王 度 a,b ，张庆伟 a.b ，杨存榜 a,b ( 中国工程物理研究院 a.激光聚变研究中心，四川 成都 610041 ；b.太赫兹研究中心，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：采用氧化钒(VO ) 薄膜作为热敏层的非制冷红外微测辐射热计在红外探测方面已取得 X 很大成功，而当将其用于波长更长的远红外太赫兹(THz) 波探测时其中存在的不足就会体现出来。 介绍了基于微测辐射热计设计的 THz 探测器所需的 THz 波吸收材料、VOX 热敏材料及信号读出电 路应满足的基本要求，为研制 THz 波探测器提供了必要参考，并给出已研制成功的 VOX 热敏薄膜 材料的部分性能实验结果。 关键词 ：太赫兹探测器；氧化钒；微测辐射热计 中图分类号 ：TN215 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201303.0328 Terahertz detectors based on the thermal sensing characteristics of vanadium oxides a,b a,b a,b a,b a,b a,b LUO Zhen-fei ，ZHOU Xun ，LI Ze-yu ，WANG Du ，ZHANG Qing-wei ，YANG Cun-bang (a.Research Center of Laser Fusion，China Academy of Engineering Physics，Chengdu Sichuan 610041，China；b.Terahertz Research Cent er， China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract： Although uncooled infrared microbolometers utilizing vanadium oxide(VO ) thin films as X the thermal sensing layers have achieved great success in infrared detection applications, there are many shortcomings when they are directly employed to detect the Terahertz(THz) wave whose wavelength locates in the far infrared region. In this paper,