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第1章单晶硅，多晶硅的特性与区别1.1单晶硅的特性单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成?/?? ?熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。?/1.2多晶硅的特性灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。?? ?多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。?1.3单晶硅，多晶硅的区别?当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料??/?单晶硅和多晶硅都是单质硅的一种形态。单晶硅即原子排列得非常整齐，晶格位向完全一致，且无任何缺陷存在。多晶硅即由许多位向不同的晶格组成，且其内部还存在着多种晶体缺陷。单晶是采取直拉发生产，直拉过程就是一个原子结构重组的过程。而多晶多采用浇注法生产，就是直接把硅料倒入坩埚中融化定型。单晶硅片为方圆形，多晶硅为方形。对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料。第2章单晶硅，多晶硅的实际应用2.1单晶硅的实际应用制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。2.2多晶硅的实际应用电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。第3章单晶硅，多晶硅太阳能电池的特性 3.1单晶硅太阳能电池的基本特性参数开路电压UOC，即将太阳能电池置于100 mW/cm2的光源照射下，在两端开路时，太阳能电池的输出电压值。短路电流ISC，就是将太阳能电池置于标准光源的照射下，在输出端短路时，流过太阳能电池两端的电流。最大输出功率Pm，如果选择的负载电阻值能使输出电压和电流的乘积最大，即可获得最大输出功率。填充因子FF，他是最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，是代表太阳能电池在带最佳负载时，能输出的最大功率的特性。转换效率η指在外部回路上连接最佳负载电阻时的最大能量转换效率。伏安特性，工作状态下太阳电池的电压-电流特性。图示：在给定的日照和温度下短路电流ISC 、开路电压UOC、输出功率Pm与填充因子FF的关系。实线部分是I-V（伏安）曲线，虚线部分为P-V（伏瓦）曲线。温度对I-V特性的影响温度对短路电流的影响Isc随温度上升而缓慢上升，这是由于串联电阻与并联电阻的存在，光电流流过Rs要产生一定压降，当测量短路电流时在Rsh上也要损失部分电流，而且随着电流的增大，两者的影响也加大，从而抑制了Isc的增加。温度对开路电压的影响温度对它的输出开路电压影响大，温度越高，开路电压越低。温度对输出功率的影响在这一温度范围内，输出功率出现一个最大值和一个最小值，并不是朝一个方向变化。在305K左右，电池的输出功率最大。通过最大值以后输出功率随温度的增加而降低。温度对填充因子的影响串、并联电阻对填充因子有较