第1章节 电力电子器件 1.ppt

西南交通大学峨眉校区电气工程系 第一章 电力电子器件 1.1 概述 1.1.1 电力电子器件的定义和工作特点 1.1.2 电力电子器件的发展 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.1 电力电子器件的定义 下图为电力电子装置的示意图，输入电功率变换器变换后输出至负载。功率变换器即为通常所说的电力电子电路（主电路），它由电力电子器件构成。目前，除了在大功率高频微波电路中还在使用真空管以外，其余的电力电子电路均由功率半导体器件组成。 1.1.1 电力电子器件的定义 电力电子器件的工作特点： 与模拟电子电路中半导体工作在线性放大状态下不同，通常情况下，功率半导体器件都工作在开关状态。管子导通时，通态阻抗小，相当于短路，管压降近似为零，流过的电流由外电路决定。由于电力电子电路处理的大多为高电压、大电流的电能，要求功率半导体器件的导通压降低、漏电流小，这样才能保证功率半导体器件在导通和阻断时损耗小，从而避免器件的发热。通常情况下，功率半导体器件的断态漏电流很小，断态损耗不大，通态损耗占器件功率损耗的主要部分。 在高频逆变器、高频整流器等频率较高的电力电子电路中，功率半导体器件的开通、关断频率比较高，因此必须考虑功率半导体器件由断态转换成通态及由通态转换成断态时在转换过程中所产生的损耗，分别称之为开通损耗和关断损耗，总称为开关损耗。开关损耗在高频电力电子电路中占总损耗的主要部分，通常开通、关断缓冲电路来降低开关损耗。 1.1.1 电力电子器件的定义 尽管电力电子电路所处理的电功率大至兆瓦级，但大功率却是功率半导体器件物特点。这要求功率半导体器件应该是能承受高电压、大电流的器件，而且需要安装散热器，防止因损耗而散发的热量导致器件温度过高而损坏。 4. 一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性，在截止状态时能承受高电压且漏电流要小；在导通状态时能流过大电流及很低的管压降；在开关转换时，具有短的开、关时间；通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小，同时还要承受高的di/dt和du/dt 以及具有全控功能。 1.1.2 电力电子器件的发展 功率半导体器件的发展经历： 大功率二极管产生于20世纪40年代，是功率半导体器件中结构最简单、使用最广泛的一种器件。目前已形成整流二极管(rectifier diode)、快恢复二极管(fast recovery diode)和肖特基二极管(schottky barrier diode)等3种主要类型。 20世纪60年代出现晶闸管(thyristor or silicon controlled rectifier)。 20世纪70年代出现了称之为第二代的自关断器件，如门极可关断晶闸管(gate-turn-off thyristor, GTO)、大功率双极型晶体管(bipolar junction transistor, BJT or giant transistor, GTR)、功率场效应管(power metal-oxide semiconductor field effect transistor, power MOSFET)等。 20世纪80年代出现了以绝缘栅极双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor, IGBT)为代表的第三代复合导电机构的场控半导体器件， 1.1.2 电力电子器件的发展 还有静电感应式晶体管(static induction transistor, SIT)，静电感应式晶闸管(static induction thyristor, SITH)，MOS控制晶闸管(MOS controlled thyristor, MCT)，集成门极换流晶闸管(integrated gate-commutated thyristor, IGCT)等。 5. 20世纪80年代后期，功率半导体器件的发展趋势为模块化、集成化，按照电力电子电路的各种拓扑结构，将多个相同的功率半导体器件或不同的功率半导体器件封装在一个模块中，这样可缩小器件体积、降低成本、提高可靠性。 1.1.3 电力电子器件的分类 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类： 1.1.3 电力电子器件的分类 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型 概 述 结构和原理： Power Diode结构简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用；快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位；基本