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Ch4 内部存储器 43/52 第四章 内部存储器 微机存储器分为内部存储器和外部存储器。内部存储器位于主板之上，外部存储器位于机箱内部或机箱外部。 内部存储器包含三种类型：只读存储器 ROM，用于存放系统固化程序和数据；随机存储器 RAM，用于存放当前运行的程序和数据；高速缓存 Cache，用于充当 CPU 与内存之间的缓冲区。 本章将介绍三种类型内部存储器的分类、功能以及相关技术，并讲述内部存储器故障现象、故障原因及解决方法。 4．1 只读存储器 ROM ROM（Read Only Memory）用于存放计算机固化程序和数据，包括主板 BIOS 程序、显示卡控制程序、硬盘控制程序、打印机控制程序、汉字打印字库、网卡自引导程序等。也可以存放用户自行设计的控制程序，如加密软件、保护软件等。 ROM 中的信息一次性写入后可以永久保留，去掉电源后数据也不会丢失。 原则上 ROM 为只读存储器，芯片中的程序只能读出而不能写入，为了便于程序升级，后期的 ROM 允许有条件更改芯片中的内容。 只读存储器的发展：ROM → PROM → EPROM → EEPROM → Flash memory。目前广泛使用的是 Flash memory，刷新较方便，容量也满足要求。 4．1．1 只读存储器分类(1) 1．PROM 只能在专用的 PROM 写入器上写入程序。它采用熔断型存储方式，写入数据位为 0 时对应存储元上的金属丝被熔断，属于破坏性写入。其优点是数据安全，缺点是数据无法更改。 2．EPROM 芯片型号：2716 ~ 27010，容量：16Kb ~ 1Mb ( 2 ~ 128KB )。芯片上带有石英玻璃窗口，用特殊紫外线照射 3 ~ 5 分钟可擦除信息。用专用 EPROM 写入器通过电缆连接串行口，运行程序将二进制代码写入芯片。优点是安全性高，写入的内容可以永久保存，缺点是更新困难。 3．EEPROM 芯片型号：2816 ~ 28010，容量：2 ~ 128KB。自带 Upp 编程电源，可在线擦除和写入。编程电压由芯片本身的编程电压发生器产生。 4．1．1 只读存储器分类(2) 4．闪存 Flash memory 代表芯片为 28F010、29EE010、29EE020 等。存储容量大为 1 ~ 2Mb ( 128 ~ 256KB )，易于在线刷新，目前已基本取代 EPROM。 闪存容量大、易修改性是它的优点，其内部程序便于刷新，但也是它的缺点，容易受到攻击，无法保证数据安全。 ROM 系统由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。 4．1．2 只读存储器映射技术 后期系统数据总线宽度为 64 位，而 ROM 芯片数据总线宽度只有 8 位。另外，与 RAM 相比，ROM 的读取速度较低。由于这些原因，读取和传送 ROM 数据信息成为信息传输的瓶颈。 系统运行时，CPU 频繁地访问各种 ROM 芯片中的数据，包括主板 BIOS 和适配器、外存上的 ROM 信息。由于速度上的差异，早期做法是在访问 ROM 时插入等待周期，显然将降低系统运行速度。 为解决这个问题，现代计算机采用了 ROM 映射技术，在开机过程中将各部件上 ROM 芯片中的数据传送到指定的 RAM 区域内，这种方法称为映射 ( Shadow )，访问 ROM 数据时可直接到相应内存映射区域读取数据。 在保留的 384KB 内存区域中，C0000 ~ DFFFF 共 128KB 区域作为 ROM 映射区，系统使用 CPU 中存储管理单元 MMU ( Memory Manage Unit ) 在开机过程中实现映射。映射结束后，ROM 失去作用，内存映射区中保存了 ROM 的代码从而取代了 ROM。 4．2 随机存储器 RAM RAM 用于存储正在运行程序的指令和数据。主板使用动态随机存储器，简称 DRAM。由于构造上的原因，断电后所存信息丢失，即使不断电，芯片中的信息也只能保存很短时间，必须定时刷新。 4．2．1 内存芯片及内存条 内存芯片为双列直插式芯片，早期采用直接焊接或插座插接方式，某些板、卡上焊接了内存插座，可根据需要增、减内存芯片。 从 286 后期开始，存储器结构发生变化。不再使用单一芯片，而是使用内存条。将内存芯片焊接在 30 线、72 线、168 线、184 线或 240 线内存条电路板上制成内存条。 内存条结构分为 30 线、72 线单边接触存储器模块 SIMM ( Single In - line Memory Module) 和 168 线、184 线、240 线 双边接触存储器模块 DIMM ( Dual In - line Memory Module )。主板上有对应的内存条插座，数量 2 ~ 8 个，可根据需要插