第5章节 存储器扩展技术.ppt

2. 8031/80C31最小应用系统 结论： 2764、27256和27512芯片引脚如图5.6所示： 程序存储器扩展例题 例2、多片程序存储器的扩展 4）常用EEPROM（电擦除可编程只读存储器）扩展 表5-3 Intel公司EEPROM典型产品主要性能 以Intel2864A为例介绍EEPROM的扩展： 1) 维持（待机）方式 当CE为高电平时，2864A进入功耗自动待机状态，此时，数据输出线呈高阻态。 2) 读出方式 当CE和OE均为低电平，而WE为高电平时，片内数据缓冲器开门，数据被送到数据总线，可执行读操作。 3) 写入方式 2864A写入方式有两种：字节写入和页写入。 4) 数据查询方式 是由软件来检测一个写周期是否完成。 8031单片机扩展2864A 的电路图如图5.10所示： 1. 数据存储器概述 51系列单片机内部仅有128B的RAM，对于简单的应用场合，已够用； 但是对于复杂场合，需要处理大量数据，这时必须外扩RAM，最大可外扩64KB。 扩展中广泛应用静态RAM（SRAM）。 2. 单片机对片外RAM读/写指令 访问外部RAM时，使用MOVX指令。 外部RAM通常设置两个数据区： 1） 低8位地址线寻址的外部数据区 此区域寻址空间为256B，CPU可以使用下列读写指令来访问此存储区： ① 读存储器数据指令：MOVX A，@Ri ② 写存储器数据指令：MOVX @R，A 由于8位寻址指令占用字节少，程序运行速度快，所以经常采用。 2）16位地址寻址的外部数据区 当外部RAM容量较大，要访问RAM地址空间大于256B时，需要采用16位寻址指令。 ① 读存储器数据指令：MOVX A，@DPTR ② 写存储器数据指令：MOVX @DPTR，A 由于DPTR位16位的地址指针，故可寻址64KBRAM单元。 3. 外扩数据存储器常用的典型芯片 1）数据存储器SRAM芯片 目前常用的静态RAM芯片有Itel公司的6116、6264、62128、62256，其主要性能指标如下： 200 200 200 典型存取时间/ns 0.5 2 5 典型维持电流/ mA 8 40 35 典型工作电流/mA 5 5 5 工作电压/V 28 28 24 引脚数 32 8 2 容量/KB 62256 6264 6116 芯片型号 芯片引脚如下： 以6264芯片为例说明芯片的引脚以及扩展电路的连接 引脚功能： A12～A0：13根地址线，芯片的容量为8K＝213个单元； D7~D0：8根三态双向数据线； ：片选信号输入线，低电平有效； ：写选通信号输入线，低电平有效 CS ：片选信号输入线，高电平有效， 可用于掉电保护。 2） 数据存储器的扩展电路 A）单片数据存储器的扩展 单片机与6264的连接如下表所示： 80C51/8051 6264 P0经锁存器锁存形成A0~A7 A0~A7 P2.0、P2.1、P2.2、P2.3、P2.4 A8~A12 D0~D7 D0~D7 硬件电路如下： * * 主讲：陈燕慧 2006年4月 根据存储介质不同，可分为: 半导体存储器，磁心存储器，电耦合存储器。 目前，计算机内部均采用半导体存储器，只讨论半导体存储器， 按照存储器的存取功能不同，半导体存储器可分为 1)只读存储器（Read Only Memory，简称ROM） 2)随机存储器（Random Access Memory，简称 RAM） 3)串行存储器。 功能：用于存放程序，常数和表格常数等。 特点：把信息写入存储器后，能长期保存，不会因电源断电而丢失信息，在计算机运行过程中，只能读出信息，不能再写入信息。一旦写入信息，不能随意更改。 根据编程方式的不同，ROM可分为以下5种： 1) 掩模工艺ROM 特点：编程是由制造厂完成，即在生产过程中进行编程。用户不能改变其内容。结构简单，集成度高，适于大批量生产。 2) 可一次性编程ROM（PROM） 特点：程序是由用户写入，只能写一次，但不能再进行修改。 3) 紫外线擦除可改写ROM（EPPROM） 特点：用电信号编程而用紫外线擦除。程序由用户写入，运行多次擦除和重新写入。 典型产品型号有： Intel公司27系列产品：2716（2KB×8），2732（4KB×8），2764（8KB×8），27128（16KB×8），27256（16KB×8）等。 4) 电擦除可改写ROM（EEPROM或E