Si基外延Ru2Si3电子结构及光学性质研究-物理学报.PDF

第卷第期 年月 ５９ ３ ２０１０ ３ 物　 理　 学　 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，２０１０ １０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０３ ／２　０２７０６ （） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．  Ｓｉ基外延Ｒｕ Ｓｉ 电子结构及光学性质研究 ２ ３ 崔冬萌谢泉 陈茜赵凤娟李旭珍 　 　 　 　 　 　 （贵州大学理学院，贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵阳 ） 　 ５５００２５ （２００９ 年３ 月９ 日收到；２００９ 年６ 月２９ 日收到修改稿） 　 　 采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对异质外延关系为Ｒｕ Ｓｉ （１００）／ ／ Ｓｉ（００１），取向关系为Ｒｕ Ｓｉ ２ ３ ２ ３ ［０１０］／ ／ Ｓｉ［１１０］正交相的Ｒｕ Ｓｉ 平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算．计算结果表明：当 ２ ３ 晶格常数ａ取值为１０９３ ｎｍ 时，正交相Ｒｕ Ｓｉ 处于稳定状态并且是具有带隙值为０７７３ ｅＶ 的直接带隙半导体；其 ２ ３ ( ) 价带主要是由 的态电子构成；导带主要是由 的态电子及的态电子构成；静态介电常数 为 Ｒｕ ４ｄ Ｒｕ ４ｄ Ｓｉ ３ｐ ε１ ０ １８９１；折射率ｎ 为４３４９ ０ 关键词：外延，第一性原理，电子结构，光学性质 ＰＡＣＣ：７１２５，７１１５Ｈ，７８２０Ｄ 重要的意义． １ 引 言 ２００１ 年，Ｓｈａｐｏｓｈｎｉｋｏｖ 等人对块体正交相 ［］５ Ｒｕ Ｓｉ 也进行了计算，得到的带隙值为０４７ ｅＶ ． ２ ３ 近几年，人们对过渡金属硅化物半导体材料的 Ｓｉ Ｒｕ Ｓｉ Ｒｕ Ｓｉ Ｓｉ 但是在基上制备 薄膜时由于 在