薄膜物理与技术5薄膜的形成与生长.ppt

5.3 生长过程 两个圆形核结合时间小于0.1s,并且结合后增大了高度，减少了在基片所占的总面积。结合时类液体特性导致新出现的基片面积上会发生二次成核，结合后的复合岛若有足够时间，可形成晶体形状，多为六角形。 ② 小岛阶段 小岛阶段 小岛阶段过程：课本P152 5.3 生长过程 圆形的岛在进一步结合处，才继续发生大的变形→岛被拉长，从而连接成网状结构的薄膜，在这种结构中遍布不规则的窄长沟道，其宽度约为5-20nm，沟道内发生三次成核，其结合效应是消除表面曲率区，以使生成的总表面能为最小。 ③ 网络阶段 网络阶段过程： 课本P152 5.3 生长过程 小岛结合，岛的取向会发生显著的变化，并有些再结晶的现象。沟道内二次或三次成核并结合，以及网状结构生长→连续薄膜。 ④ 连续薄膜 连续薄膜阶段过程： 课本P152 连续膜阶段 5.4 沉积参数对薄膜生长影响 沉积参数对薄膜生长的影响主要体现在： 沉积速率： 一般来说，沉积速率影响膜层中晶粒的大小与晶粒分布的均匀度以及缺陷等。 低速率：金属原子在基片上迁移时间长，容易到达吸附点位，或被吸附点位置上的小岛捕获而形成粗大的晶粒，使得薄膜的结构粗糙，膜不致密。后续原子不能及时达到，致使暴露时间长，易引入杂质，以及产生缺陷。因此，沉积速率高一些好。 高沉积速率：薄膜晶粒细小，结构致密，但由于同时凝结成的核很多，在能量上核处于能量比较高的状态，所以膜内部存在比较大的应力。 原则：对特定的材料，从具体的实验中正确选择最佳的沉积速率。 5.3 生长过程 气相入射的角度: 原子的入射角度对膜结构有很大影响，使薄膜产生各向异性。 随着结晶颗粒的增大，入射的沉积原子就逐渐沿着原子的入射方向长大，于是会产生所谓的自身影响效应，从而使薄膜表面不平整，出现各向异性。这种沿原子入射方向生长的倾向，在入射角越大时，表现得越明显。 5.3 生长过程 基底温度： 　　影响薄膜生长的粘附系数（多数降低）、高迁移速率、增加岛与岛之间扩散和成核临界尺寸、结晶和取向等. P161 基片表面状态： 　　粗糙度低、表面光洁，则膜层结构致密，容易结晶，否则相反，而且附着力差。 环境污染： 　　真空度低，材料受残余气体分子污染严重，薄膜性能变差。 本章小结 凝聚过程 吸附、吸附原子在基片上的状态 形核理论 稳定核、临界核、毛细理论、统计或原子理论 薄膜的生长过程 成核，小岛，沟道（网络），连续薄膜 薄膜的生长模式 岛状模式、单层生长模式、复合模式 作业 （1）简述晶核的形成过程。 （2）论述毛细形核理论。 （3）简述薄膜的生长模式，并以岛状生长为例分析薄膜形成的四个主要阶段。 * * * （3）入射原子的滞留时间 脱附能Ed与平均停留时间τa的关系 Ed(kcal/mol) 2.5 5 10 15 20 25 30 τa(s) 6.6×10-12 4.4×10-10 1.6×10-6 8.5×10-3 3.8×10 1.7×105 7.3×108 脱附能 式中 为表面原子的振动周期（大约10-13~10-12 s），f为振动频率。 吸附原子在基片表面上移动，在被脱附之前，具有的平均停留时间为: 5.1 凝结过程 ~8450天，23年 表面滞留期间----表面扩散过程 表面扩散势垒(扩散激活能) 表面扩散能 脱附能 吸附原子的表面扩散是凝结的必要条件： 原子扩散 ―形成原子对 ―凝聚 5.1 凝结过程 2. 表面扩散 平均表面扩散时间 吸附原子在一个吸附位置上的停留时间称为平均表面扩散时间，用 表示。 （f1为沉积原子横向振动频率） (表面原子振动周期) 大约10-13~10-12 s 表面扩散能 5.1 凝结过程 单位时间内扩散的步数（扩散频率） 是 若用 表示相邻吸附位置间距，则： 吸附原子在表面停留时间经过扩散运动所移动的距离（从起始点到终点的间隔）称为平均表面扩散距离， 平均表面扩散距离 讨论： 表面扩散能 越大，扩散越困难，平均扩散距离也越短； 脱附能 越大，吸附原子在表面上停留时间越长，则平均扩散距离也长。 对凝结过程有利 5.1 凝结过程 表面扩散能 吸附原子扩散迁移频率 吸附原子表面扩散时间 吸附原子面密度 脱附能 表面滞留时间 J为单位时间入射到基片单位面积的总原子数 不考虑反射 吸附原子在滞留时间内迁移的次数 近似认为： 吸附原子在这样的迁移中与其他原子相碰撞就可形成原子对。凝结过程是指吸附原子在基体表面形成原子对及其后续过程。 5.1 凝结过程 3. 凝结 每个吸附原子的捕获面积： 式中， 是单位基片表面上的吸附位置数， 是吸附原子在滞留时间内的迁移次数。 所有滞留原子总捕获面积： 脱附能越