第9章半导体二极管和三极管(新).ppt

5、U(BR)CEO是指基极开路时允许加在集电极和发射极之间的最大电压值，当UceU(BR)CEO时，三极管的PN结会被击穿，这是Iceo会突然大增。 6、当集电极电流流经集电结时将产生热量，而使结温升高，升高的结温会引起三极管参数的变化，其变化不超过允许值时，三极管集电极所消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率Pcm，集电极耗散功率为Pc=UceIc，集电结的结温与环境温度和散热条件有关，散热条件不好，过高的温度会损坏管子。 通常将提供电能的设备称为电源。电源可分为三种类型：1、一次性电源，即供电电源，常成为电网或市电，它是把其他形式的能量（如水力、火力、风力产生的能量）转换成电能。2、二次性电源，即在供电电源与负载之间对电能进行转换以满足电器设备需要的电源。3、蓄电池电源，将其他形式的能量转换成电能储存起来，然后再提供给负载。本章主要介绍二次性电源。 单相交流电通过过电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路转换成稳定的直流电压，其方框图及各电路的输出电压波形，如图所示。 直流电源的输入为220V的电网电压，一般情况下，所需直流电压的数值和电网电压的有效值相差很大，因而需要通过变压器降压后，再对交流电压进行处理。变压器的副边电压有效值决定于后面电路的需要。现在有些电路，不用变压器降压。 变压器副边电压通过整流电路由交流电压转换为直流电压，即将正弦波电压转换为单一方向的脉动电压。全波整流的输出波形如图所示。可以看出，整流后的波形含有较大的交流分量，会影响负载电路的正常工作。 为减小电压的脉动，需通过低通滤波电路滤波，使输出电压平滑。理想情况下，应将交流分量全部滤掉，使滤波电路的输出电压仅为直流电压。 稳压电路的功能是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。 用二极管构成的整流电路是利用它的单向导电性，将交流电变成直流电。二极管整流电路可分为单相整流、三相整流等。单相整流用于小功率负载，三相整流用于大功率负载。单相整流电路有单相半波和单相桥式整流电路。 目前应用较多的是单相桥式整流电路，如图所示，它是由四只二极管组成，其构成原则就是保证在变压器副边电压u的整个周期内，负载上的电压和电流方向始终不变。若达到这一目的，就要在u的正、负半周内正确引导流向负载的电流，使其方向不变。 第一次： P245 9.2.2, 9.3.2 第二次： P247 9.4.1, 补充题 ?补充题? 电路如下图所示，已知负载电阻RL =1k?， 变压器副边电压有效值 U = 80V。求： （1）负载的平均电压UO、负载的平均电流IO、流过二 极管的平均电流ID 及二极管承受的最大反向电压UDRM ； （2）请在图中加入滤波电容，并重求（1）。 + uo ? RL io ~ + u ? 第9、12章 习题 与三极管的工作状态相对应，在输出特性上有三个工作区，即截止区、放大区和饱和区。截止区是三极管工作在截止状态的区域，IB=0以下的区域为截止区。对于NPN型硅管，当UBE0.5V时开始截止，为了可靠截止，通常使UBE小于等于0，这时，集电极与发射极间存在一个很小穿透电流ICE，它是由半导体内少数载流子所形成。这个电流受环境温度影响很大，且与集、基间反响饱和电流ICBO（基区少数载流子的漂移运动所形成的电流）的关系为：Iceo=（1+β）Icbo 一般情况下IcEo可忽略不计，因此三极管工作在截止区时，C、E间相当于开路，等效于开关的断开状态。 饱和区是三极管工作在饱和状态的区域，如前所述，这时Uce小于等于Ube，集电结不再反向偏置，Ic不等于βIB，从图中可以得出：UCE=Ucc-RcIc 若Uce很小，忽略不计，则由上式得：Ics=Ucc/R，Ics为集电极电流的最大可能值，这时IBs=Ics/β 如果基极电流大于IBs，则表明晶体管进入了饱和状态。三极管CE间的饱和压降UCES的范围0.1~0.3V，若忽略不计，三极管的CE间相当于短路，等效于开关的接通状态。作为开关管使用的三极管是工作在它的截止区与饱和区。当三极管处于饱和状态时相当于工作在开关接通状态，当三极管工作在截止状态时相当于工作在开关断开状态。 放大区是三极管工作在放大状态的区域，这时UCEUBE约等于0.6V，对NPN型硅管而言，Ic=βIB，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，三极管在这个状态下构成的电路可实现电压放大或功率放大的功能。 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。自然界中属于半导体的物质很多，用来制造半导体器件的材料主要有硅和锗。 硅和锗都是四价元素，将硅和锗提纯，形成单晶体后，晶体中的原子基本上整齐排列，即最外层的四个价电子都与邻近的原子形成共价键结构，