第4章双极型晶体管的功率特性.pptVIP

第4章 双极型晶体管的功率特性 大功率晶体管工作在高电压和大电流条件下，电流增益和特征频率等比直流情况下会显著下降； 本章将讨论影响功率特性的最大电流、最高电压、最大耗散功率、二次击穿等。 4.1 基区大注入效应对电流放大系数的影响 一，大注入自建电场 二，大注入下基区少子分布及电流特性 结论：大注入对缓变基区晶体管基区电子及其电流密度的影响与对均匀基区晶体管的相似。 这是因为在大注入条件下的缓变基区中，大注入自建电场对基区多子浓度梯度的要求与基区杂质电离以后形成的多子浓度梯度方向是一致的，这时杂质电离生成的多子不再象小注入时那样向集电结方向扩散并建立缓变基区自建电场，而是按照基区大注入自建电场的要求去重新分布。 因此，不同电场因子的缓变基区在大注入下有相同的电子浓度分布。可以说，在大注入情况下，大注入自建电场取代（掩盖）了由于杂质分布不均匀所形成的电场（缓变基区自建电场）。 三，基区电导调制效应 四，基区大注入对电流放大系数的影响 五，大注入对基区渡越时间的影响 4.2 基区扩展效应 有效基区扩展效应是引起大电流下晶体管电流放大系数下降的另一重要原因。 因系大电流下集电结空间电荷分布情况发生变化而造成的 下降(以及fT下降)，因此又称为集电结空间电荷区电荷限制效应。 所对应的最大电流称为空间电荷限制效应限制的最大集电极电流。 由于合金管与平面管集电结两侧掺杂情况不同，空间电荷区内的电荷分布及改变规律不同，对电流的影响也不同。 一般认为，实际情况下的基区横向和纵向扩展导致有效基区宽度WB增加，而使 和fT下降 4.3 发射极电流集边效应 实际晶体管中，基极电流平行于结平面流动 基极电流在狭长的基极电阻上产生平行于结平面方向的横向压降 大电流下，横向压降也很大，明显改变eb结各处实际电压，导致各处实际注入电流的悬殊差异 电流大部分集中在发射区边界，使发射区面积不能充分利用 电流的局部集中使得在小电流下局部也有较大的电流密度，从而引起局部的“大注入”效应和有效基区扩展效应 4.2 有效基区扩展效应 弱场情况 有多余部分n积累在电场区边界做为负电荷层以维持电场，弱场中只允许n=Nc的电子流过。 外加电压不变，电场分布曲线包围面积不变，E(x)曲线包围区域随Jc增大而变窄、增高，直至达到强场，n才可以大于Nc，v=vsl。 2.缓变基区晶体管的有效基区扩展效应 4.2 有效基区扩展效应 弱场情况 2.缓变基区晶体管的有效基区扩展效应 感应基区Wcib？ （4-35） （4-36） （4-37） 感应基区Wcib？ 准饱和状态下的正偏集电结 4.2 有效基区扩展效应 小结 有效基区扩展效应是大电流（密度）下造成晶体管电流放大系数下降的重要原因之一。根据晶体管结构和工作条件，有效基区扩展效应分三种类型，有各自的扩展规律、机制和临界电流密度。 1.均匀基区：有 即有扩展， 时 2.缓变强场： 时，开始扩展。 3.缓变弱场： 时，开始扩展。 由于 的变化，改变了空间电荷区电场和电荷分布，出现有效基区扩展，本质上都是集电结空间电荷区总电荷在一定的集电结偏压作用下恒定的限制所造成的，故也称集电结空间电荷区电荷限制效应。 4.3 发射极电流集边效应 1.发射极电流分布 （X-37） 由于p-n 结电流与结电压的指数关系，发射结偏压越高，发射极边缘处的电流较中间部位的电流越大，这种现象称为发射极电流集边效应。 这种效应是由于基区体电阻的存在引起横向压降所造成的，又称之为基极电阻自偏压效应。 4.3 发射极电流集边效应 图4-13 发射极上的电流分布 1.发射极电流分布 4.3 发射极电流集边效应 2.发射极有效宽度 发射极电流集边效应(或基极电阻自偏压效应)增大了发射结边缘处的电流密度，使之更容易产生大注入效应或有效基区扩展效应，同时使发射结面积不能充分利用，因而有必要对发射区宽度的上限作一个规定。 为充分利用发射区面积，限制集边效应，特规定：发射极中心到边缘处的横向压降为kT/q时所对应的发射极条宽为发射极有效宽度，记为2Seff。Seff称为有效半宽度。 4.3 发射极电流集边效应 2.发射极有效宽度 4.3 发射极电流集边效应 （4-38） （4-39） rb的自偏压 2.发射极有效宽度 4.3 发射极电流集边效应 （4-40） 0 E区 V Y V(Y) VE(y) V(y)——沿Y方向的电势分布 VE(y)——沿Y方向eb结