退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性-发光学报.PDF

第 26卷 第 5 期 发 光 学 报 V ol126 N o15 2005年 10 月 CH INESE JOURNAL OF LUM INESCENCE O c t. , 2005 : 1000-70 32( 2005 05-0611-06 退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能 ZnO薄膜发光特性的影响 陈玉凤, 温战华, 王 立, 戴江南, 方文卿, 江风益* ( 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心, 江西 南昌 330047 : 研究了氧气 火和氮气 火对 ZnO 薄膜发光特性的影响。ZnO 膜是采用常压金属有机化学气相沉积 ( MO CVD 法在蓝宝石( 0001 衬底上生长的。原生样品 1有一很强的紫外峰及较强的绿光峰( 525 nm 附近 ; 原生样品 2有很强的紫外峰, 深能级发光几乎观察不到。然后从不同原生膜上取两块小样品, 分别在氧气和 氮气中 火, 火温度是400, 500, 600, 700, 800 e 。结果表明, 在 700 e 以下 火, 火气氛对 ZnO 膜的深 能级发光影响较大; 超过 700 e 后, 火温度对 ZnO 薄膜的发光影响大, 但 火气氛影响不太明显。通过 火对 ZnO 薄膜发光特性的影响, 讨论了 ZnO 膜中 525 nm 附近绿光峰的起源。 : 火; 薄膜; ZnO; 金属有机化学气相沉积; 绿光 : O 472. 3; O 4821. 31 PACC: 6170; 7855 : A 能级发光是绿光, 对于 ZnO 薄膜中绿光的起源目 1 引 言 [ 12] 前还没有定论, 但普遍认为与杂质 或本征缺陷 [ 13, 14] [ 4] 因短波长发光器件的需求, 宽带隙半导体受 如氧空位 或锌空位 有关。 到了人们的关注。ZnO 是一种宽带隙半导体材料 针对以上情况, 本文对常压金属有机化学气 (室温带宽 3. 37 eV , 具有大的激子束缚能, 几乎 相法所生长的高结晶性能 ZnO 膜在氧气和氮气 是 GaN 或 ZnSe 的 3倍。室温时可观察到激子的 中的 火进行了较系统的研究, 并对 ZnO 膜中 [ 1] 受激发射 。这对于基于受激发射的室温激子 525 nm 绿光的起源进行了初步的探讨。 复合的有效紫外激光器的应用是很诱人的。 2 实 验 火是处理半导体材料的一种常见但又很重 要的工艺。不管是Ⅳ族的 S 、i G e半导体还是Ⅲ- 二乙基锌( DEZn 和去离子水作反应源, 高纯 Ⅴ族的化合物半导体 ( G aA s、GaN、GaP , 有关其 氮作载气, 采用常压 MOCVD 法在蓝宝石( 0001 火研究的报道较多。目前关于 ZnO 薄膜 火 面衬底上生长 ZnO 薄膜, ZnO 膜的厚度都