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2017-12-20 发布于浙江
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纳米孔氮化镓材料的制备和研究

第 12卷第 4 期功能材料与器件学报 Vo l12 ,No4 2006年 8月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MA TER IAL S AND D EV ICES A ug. , 2006 文章编号 : 1007 - 4252 (2006) 04 - 0255 - 04 纳米孔氮化镓材料的制备和研究 1, 2 1 1 1 1 1 1 王笑龙 ,于广辉 ,雷本亮 ,隋妍萍 ,孟胜 ,齐鸣 ,李爱珍 ( 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,信息功能材料国家重点实验室 ,上海 200050; 2. 中国科学院研究生院 ,北京 100039) 摘要 :介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方 ( ) 法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模 ,经过电感耦合等离子体 ICP 刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制 ,改变刻蚀时间可以控制孔深。刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物。扫描电镜照片显示 ,掩模图形能够很 ( ) 好地转移到 GaN 材料上。刻蚀后的材料经光荧光谱 PL Sp ectra 谱和 R am an 散射谱测试 ,显示出良好的光学特性 ,并在一定程度上释放了应力。关键词 :氮化镓 ;纳米孔 ; 阳极氧化铝 ; ICP刻蚀 ; R am an 中图分类号 : O734 + . 1　　文献标识码 : A Fabr ica tion of nanoporou s GaN f ilm s w ith AAO m a sks an d ICP etch in g 1, 2 1 1 1 WAN G X iaolong , YU Guanghu i , L E I B enliang , SU I Yanp ing , 1 1 1 M EN G Sheng , Q IM ing , L I A izhen ( 1. State Key L aboratory of Functional M aterials for Inform atic s, Shanghai In stitu te of M icro system