3二极管及其基本电路3二极管及其基本电跣？.pdf

3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料- Semiconductor Materials 3.1.2 半导体的共价键结构-Covalent bond 3.1.3 本征半导体-Intrinsic semiconducters 3.1.4 杂质半导体-Doped semiconducters 3.1.1 Semiconductor Materials 1.依导电能力( 电阻率-Resistivity)不同, 物体分: ◆超导体—Superconductors :  10 －6(cm) ◆导体—conductors:  10 －6 ～10 －4(cm) ◆绝缘体—Insulators : 1010 (cm) ◆半导体—Semiconductor : =10 －4 ～1010(cm) Electronic devices are constructed from Semiconductors. The most common Semiconductor material is silicon (Si); however, germanium (Ge) is sometimes used. 2. The atomic structure model of Si, or Ge +4 +4 si si Ge Ge 硅原子结构模型 锗原子结构模型 简化画法 ◆价电子— Valence electrons: 硅和锗(四价元素) 原子最外层轨道上的4个电子。 ◆硅/锗晶体(Crystal) -- si atomic+si atomic+…… 形成具有共价健结构( Covalent bond )的晶体. 3.1.2 半导体的共价键结构 The covalent bond of Semiconductor ◆共价键(covalent bond )结构: 每个硅或锗原子最外 层轨道上的4个价电子分别与周围的4个原子的价电子 形成的共价电子对结构。 +4 +4 +4 *In si (Ge), each atom shares a Valence electron with each +4 +4 +4 of its neighbors. ◆半导体导电的两个特性: +4 +4 +4 温度特性– Temperature characteristics 掺杂特性– Doping characteristics ◆温度特性:半导体的导电能力随环境温度、光 照的变化而显著变化。 ◆掺杂特性:半导体中掺入杂质 (impurity) 可改 变半导体的导电类型和导电能力。 本征半导体(intrinsic semiconducter):化学成分 纯净、未掺入杂质的半导体。 掺杂半导体(doped semiconducter)-杂质半导体 (impurity