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第八章 材料的变形与断裂 滑移与孪晶变形 滑移机制 位错：已滑移的部分与未滑移的部分的分界。 位错宽度：分界不鲜明，有一个过渡区。 －－－－－是两种能量平衡的结果（界面能与弹性畸变能）。 1）位错宽度窄，界面能小，但弹性畸变能高 2）位错宽度大，每个原子列偏离其平衡位置较小，弹性畸变能减小，同时界面能增加。 位错宽度是影响位错是否容易运动的重要参数。 位错宽度越大，位错就越易运动。 派－纳力 派－纳力：理想晶体中位错在点阵周期场中运动时所需克服 的阻力。（公式见P327) 一些定性结果： 1）从本质上说，派－纳力（τp-n）的大小，主要取决于位 错宽度W，位错宽度w越小， τp-n越大，材料就难以变形， 相应地屈服强度越高。 2）位错宽度主要决定于结合键的本性和晶体结构。对于方向性很强的共价键，其键角和键长度很难改变，故τp-n高；而金属键没有方向性，位错有较大的宽度，故τp-n是很低的。 3）位错在不同的晶面和晶向上运动，其位错宽度是不一样的。只有沿原子排列最紧密的面及原子密排方向上运动， τp-n才最小。 滑移与孪生在晶体表面变化 单晶体的塑性变形 一. 施密特定律 施密特定律 施密特定律 临界分切应力与首开滑移系 单滑移、多滑移和交滑移 当只有一个滑移系统上的分切应力最大并达到了临界分切应力 －单滑移。 当拉力轴在晶体的特定取向上，可能会使几个滑移系上的分切应 力相等，在同时达到了临界分切应力时，就会发生多滑移。 当一个滑移系启动后，另一滑移系的滑动就必须穿越前者，两个 滑移系上的位错会交互作用，产生交割和反应。 交滑移是螺型位错在两个相交的滑移面上的运动，当螺型位错在 一个滑移面上运动遇有障碍，会转到另一滑移面上继续滑移，滑 移方向不变。－交滑移的滑移线不是平直的，有转折和台阶。 多晶体的塑性变形 晶界和晶体位向对塑性变形的影响 多晶体的变形概括起来有两个特点： （1）变形的传递 当一个晶粒的位错在某一滑移系上动作后，在位 错遇到晶界时便塞积起来，位错在晶界处的塞积产 生了大的应力集中，当应力集中能使相邻晶粒的位 错源开动，相邻取向不利的晶粒也能开始变形，相 邻晶粒的变形也使位错塞积产生的应力集中得以松 弛，原来变形的晶粒可以进一步的变形，这就是滑 移的传播过程。 （2）变形的协调 多晶体在变形时各个晶粒的自身变形都像单晶体一样，彼此独立变形互相不受约束，那么在晶界附近变形将是不连续的，会出现空隙和裂缝，为了适应变形协调，不仅要求邻近晶粒的晶界附近区域有几个滑移性动作，就是已变形的晶粒自身，除了变形的主滑移系统外，在晶界附近也要有几个滑移系统同时动作。实验也观察到在晶界附近的滑移系是较多的。 晶粒大小对材料强度的影响 晶界位错塞积模型 位错运动至晶界受阻，便塞积起来，位错塞积使头 部产生了应力集中。 在同样的外加切应力作业下，在晶界附近塞积的位 错数为粗晶粒多细晶粒少。 位错塞积后便对晶粒中心的位错源有一反作用力，随塞积的 数目而增大，增大到某一数值时，位错源停止动作。细晶粒 的反作用力大，因为离位错源近，导致细晶粒的位错数目小。 由于粗晶粒晶界处塞积的位错数多，产生的应力集中就更 大，由前面所讲的变形传递过程，更加容易使相邻晶粒的位 错源开动，因而粗晶粒的屈服强度较低，即在较低的外力下 就开始塑性变形。 纯金属的变形强化 加工硬化：在金属拉伸时的应力－应变曲线中可以 看出，要继续变形只有不断增加外力。 一. 位错的交割 二. 位错的反应 两个滑移面上的位错相遇，在一定条件下可 发生位错反应，形成一个不可动摇的位错。 新位错不可动，通常称之为梯杆位错。 这种位错结合，称为洛麦尔－柯垂尔锁（L-C锁）。 由于面角位错锁的存在，使得两个滑移面上随后运动 的位错受到阻塞，这是引起加工硬化的一个可能原 因，它特别对低层错能的面心立方金属的变形强化影 响较大。 三. 位错的增殖 位错的增殖 2）双交滑移机制 高层错能的面心立方和体心立方，变形时的 位错增殖主要是靠双交滑移。 见书上P342 合金的变形与强化 固溶强化： 合金在形成单相固溶体后，变形时的临界切应力都高于 纯金属。 置换式的溶质原子，考虑溶质原子与溶剂原子尺寸的差别。 尺寸相差越大，溶解度越小，强化效果越大。 原子尺寸差别（或称错配）所引起的晶格畸变，会产生一 内应力场，位错在这内应立场中运动会受到阻力。 对一些合金还考虑弹性模量的差别。如尺寸上没有差别，溶 质原子切变模量较大，对位错有斥力，反之切变模量较小时则有 吸力。 间隙式的溶质原子 对于间隙式的溶质原子，当其溶于体心立