第11讲 时域有限差分法 II.pptVIP

第三章 数值稳定性 稳定性：寻求一种离散间隔所满足的条件，在此条件下差分方程的数值解与原方程的严格解之间的差为有界 Courant条件（数值稳定条件） 数值色散 数值各向异性 3.1时间离散间隔的稳定性要求 考虑时谐场 稳定性对时间间隔的要求 3.2 Courant 稳定性条件 齐次波动方程 齐次波动方程差分近似 Courant条件 Courant稳定性条件 Courant条件几个特殊情况 3.3 数值色散对空间离散间隔的要求 考虑一维情形下波动方程 数值色散关系对空间离散间隔的限制 离散后得到数值色散关系 3.4 差分近似后的各向异性特性 波动方程 二维情况 传播速度空间各向异性的图示 第四章 吸收边界条件 单向行波算子（Mur）吸收边界 Berenger完全匹配层（PML）吸收边界 单轴各向异性介质完全匹配层（UPML）吸收边界 开域问题：散射问题 开域问题吸收边界的必要性 从物理观点：只有在实验室墙壁上敷以吸波材料使波在此界面无反射，形成微波暗室。 从计算观点：在截断边界上FDTD的E、H分量计算公式中，至少有一个环绕分量位于截断边界之外，需要特殊处理。 4.1 Engquist-Majda吸收边界条件 波动方程 左行波和右行波 波动微分算子 左行波和右行波算子 单向行波吸收边界条件 4.2 一阶近似吸收边界条件 左行波算子 二阶近似吸收边界条件 残留的反射波与入射波之比(反射系数) 4.5 三维吸收边界条件 二阶吸收边界条件所涉及的10个节点（三维） 一阶吸收边界条件涉及的2个节点 三维FDTD区的角顶区 三维截断边界上的场分量节点 三维截断边界区分三种情况 6个截断边界面：面上有E切向分量和H法向分量节点；H法向分量节点不需要应用吸收边界条件 12条棱边：边上只有E的切向分量节点 8个角顶点：无电磁场分量节点 第五章 FDTD中常用激励源 几种随时间变化的源 入射波的加入――总场边界条件 5.1 几种随时间变化的源 脉冲源 高斯脉冲 微分高斯脉冲 调制高斯脉冲 升余弦脉冲 截断三余弦脉冲 截断三正弦脉冲 双指数脉冲 脉冲源:高斯脉冲 不同频率时高斯脉冲的频谱值与最大值之比 高斯脉冲的时域波形(带宽为0～8G) 高斯脉冲的频谱(带宽为0～8G) 脉冲源:微分高斯脉冲 微分高斯脉冲(频率上限为6G) 微分高斯脉冲(频率上限为6G) 脉冲源:调制高斯脉冲 调制高斯脉冲（中心频率为6.5G) 调制高斯脉冲（中心频率为6.5G) 5.6 入射波的加入――总场边界条件 应用等效原理设置入射波 三维情况总场-散射场边界 Maxwell旋度方程对于总场或散射场均适用 Maxwell旋度方程的FDTD对于总场或散射场均适用 总场-散射场边界附近的场分量 总场边界上的E分量（属于总场）被4个H分量环绕，其中位于散射场区的分量属于散射场 总场外边界上的H分量（属于散射场）被4个E分量环绕，其中位于总场区的分量属于总场 总场边界处FDTD公式的修改 在总场－散射场边界处应用FDTD公式时，同一公式中可能既有总场节点，也有散射场节点。因此，原来FDTD公式需要修改。 认定FDTD公式中全部节点为总场，则要在散射场节点加上入射场；认定全部节点为散射场，则要在总场节点减去入射场。 修改后结果正好与等效原理一致，在总场区加入了入射波。 二维TM情况总场-散射场边界 总场边界附近元胞（二维TM） 总场边界附近FDTD公式需改写 总场边界附近FDTD公式需改写 总场边界附近FDTD公式需改写 二维TM波总场区四个角点 二维TM波总场区四个角点 二维TM波入射场设置算例（幅值分布） 二维TM波入射场设置算例（相位分布） 一维情况总场-散射场区 一维总场-散射场边界 一维总场边界上入射波的加入（电场公式） 一维总场边界上入射波的加入（磁场公式） 一维总场边界入射波加入算例：400dt时的波形 一维总场边界入射波加入算例：1200dt时的波形 通过总场边界加入入射波 确定总场边界（三维，二维，一维）； 在总场边界处，修改通常FDTD公式，引进入射波（切向分量）； 总场边界上的等效面电磁流将只在总场区内产生入射波； 检验：平面波入射（总场区内无散射体） 第六章 近—远场外推 第六章 近—远场外推 6.1 等效原理 等效原理：自由空间辐射 外推边界（输出边界） 等效面电磁流辐射的计算公式 由势函数到电磁场的公式 Visualization of plane-wave penetration and scattering of a missile radome containing a horn antenna (from Taflove, 2000) Visual