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电力半导体开关器件-2014
电力半导体开关器件
1 概述
2 电力二极管D
3 双极性结型晶体管BJT
4 金属氧化物场效应晶体管MOSFET
5 晶闸管SCR
6 门极关断晶闸管GTO
7 MOS关断晶闸管MTO
8 发射极关断晶闸管ETO
9 集成门极换流晶闸管GCT、IGCT
10 绝缘门极双极性晶体管IGBT
11 MOS控制晶闸管MCT
1
12 小结
1 概述:机械开关与电力半导体开关器件
电力电子开关器件与机械开关一样,有两种开关状态:
通态(等效电阻近似为零),断态(等效电阻近似无
限大);有两种过渡过程:开通,关断。其主要优点
是开通关断过程很快,适宜于电力变换和控制;主要
缺点是通不全通,断不全断,因而通态损耗大,断路
时不能隔离电路。
2
1 概述:电力半导体开关器件的重要性
FACTS应用要求:三相交流,几十至几百MVA;
现有电力半导体开关器件水平:1~5kA、5~10kV、0~
50MVA,器件利用率25~50%;
系统、装置、组件、管阀、元器件;
大功率AC/DC、DC/AC变换器或交流开关均由大量电力半导体
开关器件串、并联构成;
模块化、标准化,可靠性、冗余、分步投资;
电力半导体开关器件的耐量、特性和应用严重影响FACTS控
制器的造价、性能、大小、重量、损耗。 3
1 概述:电力半导体开关器件的分类
可控性:不控、半控和全控器件;
物理本质:二极管、晶体管和晶闸管系列。
二极管:阳极、阴极,双层结构,单向导通能力,正向开通、
反向关断, D ;
晶体管:集电极、发射极、基极,三层结构,开关速度快、
开关损耗小, BJT、IGBT、MOSFET ;
晶闸管:阳极、阴极、门极,四层结构,半控、全控器件,
对称、不对称器件,通态损耗小、功率处理能力强,SCR、
GTO、MTO、ETO、IGCT、MCT。
4
1 概述:电力晶闸管系列
SCR: GE发明,硅控整流器,PNPN正反馈原理, 现称晶闸
管,可控开通、不控关断,通态压降1.5~3V,ms级恢复时
间,便宜、可靠、耐量大,HVDC、FACTS应用广泛,器件主
力军;
GTO:GE发明,可控开通、可控关断,门极驱动复杂、驱动
功率较大,关断慢、缓冲代价高,FACTS应用广泛;
MTO:SPCO发明,MOS管辅助关断,关断快、关断损耗小,
FACTS应用潜力;
ETO:VPEC+SPCO发明,低压MOS管和高压GTO串联,关断快、
关断损耗小;
GCT、IGCT:Mitsubishi+ABB发明,硬关断GTO改进封装,
关断快、关断损耗小,FACTS应用潜力;
MCT:GE发明,集成MOS结构加快开通和关断过程,开关损耗
低、通态损耗小,FACTS应用潜力。
5
1 概述:
典型电力
半导体开
关器件
6
1 概述:电力半导体开关器件耐量
高纯单晶硅圆:φ75~125-150mm,半导体,击穿电压2000kV/cm,导
电性在金属和绝缘材料之间,掺杂改变电压和电流耐量,125mm晶圆器
件电压6000~10000V、电流3000~4000A。
电压耐量:SCR 8~10kV,GTO 5~8kV,IGBT 3~5kV,可用电压大约
为阻断电压的一
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