粒子探测技术第5章1-4节.pdf

第五章 半导体探测器 §5-1 半导体的基本知识和探测器 的工作原理 §5-2 能量测量半导体探测器 §5-3 半导体探测器的主要参量 §5-4 位臵测量半导体探测器 §5-5 半导体探测器的应用 Semiconductor Detector • 优点： 1）很高的能量分辨率，比气体探测器大约高一个数量级，比闪烁计 数器高的更多。因为在半导体中电离产生一对电子－空穴对只需要3eV 左右的能量；带电粒子在半导体中的能量损失很多，在硅晶体中大约 为3.9MeV/ cm ，所以能量相同的带电粒子在半导体中产生的电子－空 穴对数比在气体中产生的离子对数高一个数量级以上。这样电离对数 的统计误差比在气体中小很多。 2）很宽的能量响应线性范围 8 2 3）很快的响应时间，ns量级，高计数率10 /cm ·s 4）体积小 5）很好的位臵分辨率，好于1.4 m 。 • 缺点：对辐射损伤灵敏 2013/11/1 中国科大 汪晓莲 2 §5-1 半导体的基本知识和探测器的工作原理 一、半导体的基本知识 1. 固体的导电性： 物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。 2. 导体、半导体、绝缘体的能带 由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。 从 能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级 上。 • 满带：被电子占满的能级，一般外电场作用时，其电子不形成电流， 对导电没有贡献，亦称价带。 • 导带：被电子部分占满的高能态能级，在外电场作用下，电子从外 电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起导电 作用。 2013/11/1 中国科大 汪晓莲 3 • 禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为能 隙，记做Eg 。 • 导体、半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同： 5 导体不存在禁带，满带和导电交织在一起；   10 cm 2 9 半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 10    10 cm 10 绝缘体禁带较宽，Eg=2-10eV   10 cm 由于能带取决于原子间距，所以Eg 与温度和压力有关。一般禁带宽度 大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。 2013/11/1 中国科大 汪晓莲 4 几种半导体材料的性能参数 材料 Si Ge CdTe CdZnTe HgI2 CdSe GaAs 原子序数（Z ） 14 32 48 、52 48 、30、 80、53 48 、34 31、33 52 3