考毕兹振荡电路及Dip Meter(下陷表)的设计-制做.doc

考毕兹振荡电路与Dip?Meter（下陷表）的设计-制 3-3 考毕兹振荡电路与Dip Meter（下陷表）的设计-制作 ??????? LC振荡电路除了哈特莱振荡电路以外，考毕兹(Colpitz)振荡电路也很普遍。在此针对考毕兹振荡电路的工作原理原理，以及其主要应用之一的Dip Meter的制作提出说明。??????? Dip Meter主要用来做为频率测试之用，尤其在高频率的测试中非常有用。??? 考毕兹振荡电路的原理??? 图l 6所示的为考毕兹振荡电路的原理图。哈特莱振荡电路是由2个串联的线圈，得到相位差，而考毕兹振荡是利用2个串联的电容，以得到相位差。 (此为使用1个线圈，2个电容构成的基本电路。常用于VHF频带振荡器上。) ??? 电容器C1与C2为串联。在此以其连接点为基准，检讨其相位，可以知道两者的电压相位差为180°。 由于此一连接点为FET的源极，VGS与VDS的相位差也相差180 °。因此，由FET所构成的放大器输入信号与输出信号的相差为180 °，总共相位差为360 °，也即是，反馈信号与输入信号成为同相，产生了振荡的条件。??? 在此，求出考毕兹振荡电路的振荡频率。振荡电路是由L，C1，C2的并联电路所构成的。由于C1与C2为串联，其合成电容量C成为C=C1·C2/(C1+C2）所以，振荡频率f成为 ??? Dip Meter是什么？……用来测试电路振荡频率??? 以下说明利用考毕兹振荡电路制作出Dip Meter的情形。??????? Dip Meter为单纯的振荡电路，其主要用途是做为谐振电路的谐振频率测试或振荡频率测试。价格虽然便宜，但是，校正良好时，其精确度也不会太差。 ??? 图17所示的为利用Dip Meter测试振荡频率的方法。将所欲测试频率的振荡电路的线圈靠近Dip Meter的线圈，使Dip Meter的振荡频率改变。此时，如果使振荡电路的振荡频率fo与Dip Meter的振荡频率fosc为一致时，谐振电路(振荡电路)上会有谐振电流产生。此谐振电流是从Dip Meter的线圈利用电磁结合所取得的能量。??? 因此，Dip Mete r的谐振电路与对方的谐振电路产生荡振电流，会使其谐振电压下降。此一谐振电压下降的频率所在，便是对方谐振电路的谐振频率。??? Dip Meter的构成??? 图l8所示的为实际的Dip Meter电路图。使用FET 2SK55做为振荡电路，在闸极与接地间加入二极管做为振幅限制，使振荡频率变化时，也能保持一定的振荡位准。二极管为使用Shottky二极管1SS 99。 ??? 振荡输出为利用加在FET的正电压而调整，此为调整VR1而控制振荡电压。??? 对于检知Dip点(下沉点)用的振荡电压的变化，是由吸极取出信号而不是由闸极取出的。吸极信号经过lSS99做倍电压检波，再利用2SK55做直流放大，以提高DipMeter的灵敏度。 利用可变电容二极管改变振荡频率??? 对于考毕兹振荡电路的振荡频率的改变，可以同时改变C1与C2。??? 此可以使用可变电容二极管。例如，使用1SV149，其容量变化比Cmax/Cmin=19.5，但是，由于此为使用于AM调谐器，其使用于100MHz以上时，Q值很低，不可使用。??? 此一DipMeter为使用FM调谐器用的lSV50。1SV50的特性如图20所示，加在此二极上的逆电压VR为15V～0.84V时，其容量变化为8p~50pF。 1SV50极限最大值参数表 峰值逆电压 VRM 30 V 逆向电压 VR 30 V 最大功率耗散 PD 250 mW 储藏温度 Tstg -55~+125 ℃ (将逆向电压15V~0.84V加在FM调谐器用的可变电容二极管，其容量变化为8~50pF。实际为使用2个并联，也可以使用代用品1SV166。) ??????? DipMeter的制作??? 图21所示的为所制作的印刷电路基板的构成。图(a)为零件配置图，图(b)为印刷电路图样。使用2个电压为9V的干电池006P，共计18V做为电源。虽然电源电压为9V时，也可以使考毕兹振荡电路发生振荡。但是，为了增大可变电容二极管的容量变化，必须使用较高的电压。 图21? DipMeter的印刷电路基板(在背面空白处几乎为接地图样。使用5种线圈更换，振荡频率可以达10M~180MHz。) ??? 如果线圈采固定方式时，振荡频率的可变范围只可以达2~5倍。为了增加振荡频率的变化范围，采用线圈为可更换式。因此，在线圈的端子使用RCA插座。图22所示的为各种线圈的数据。 　 线圈种类 频率范围 线圈匝数 A 90M~180MHz 发卡25mm B 53M~100MHz 线