电子线路(非线性部分)第五版第三篇_振荡器.ppt

C1和C2的串联电容直接并联在晶体两端，是晶体的负载电容。如果其值等于晶体规定值，那么振荡电路的振荡频率就是晶体标称频率。 一、并联型晶体振荡电路 皮尔斯晶体振荡电路 采用温度补偿的晶体振荡器的实用电路 XK76集成晶体振荡器的内部电路 二、串联型晶体振荡电路 三、泛音振荡电路 3.5 RC正弦波振荡器 采用分立元件RC构成相网络，振荡器主要工作在几十kHz以下的低频段。 移相网络包括 导前 滞后 串并联 移 相 电 路 1、RC移相网络均为衰减网络，传输增益 2、每节导前与滞后电路的最大相移 3、串并联电路具有与LC谐振电路类似的特性 结论 需与放大器相接 至少3节RC，且与反相放大器相接 必须与同相放大器相接 电 路 外稳振幅文氏电桥振荡电路 振幅起振条件分析 R t 2R1 3.6 环形振荡器 这类电路要求多级级联放大器本身是反相放大器，级联后仍为反相放大器，并形成环。 从电路形式上看是负反馈，但利用各级放大器高频工作产生的附加相移，在某个频率上达到180度，则负反馈变成正反馈。 1、门电路反相器构成环行振荡器 n反相器的级数，必须为奇数 。环路中每级反相器产生的附加相移为 2、差放构成环行振荡器 差分放大器具有两个输入端和两个输出端，在环路中的接法较灵活，直观上不必是奇数级，也可为偶数。 3.7 负阻正弦波振荡器 负阻放大器是利用负阻器件与LC谐振回路构成的正弦波振荡器，工作在超高频段。 隧道二极管特性 负阻器件：增量电阻为负值的器件。 3.7.1 负阻器件 隧道二极管工作在大信号时的特性 3.7.2 负阻振荡原理及其电路 gn(av) = ge0 并联型 gngeo 电压型负阻振荡器 串联型 电流型负阻振荡器 3.7.3 用负阻观点讨论LC反馈振荡器 从供给能量的观点来看，带有正反馈的放大器件可以等效地看成负阻器件。 3.7.4 用正反馈电路实现负阻振荡  交叉耦合电路 3.8 压控振荡器 压控振荡器（Voltage Control Oscillator，VCO），电压控制振荡器，一般是用电压控制振荡器的振荡频率。由于信号的频率和相位的内在联系，因此VCO既可以用电压控制振荡器的输出振荡频率，也可得到与控制电压相关，振荡器的输出相位。不过，因为压控振荡器的本质还是一个振荡器，所以所有关于振荡器的分析这里都适用，只是对于压控振荡器还需考虑与电压控制相关的特性以及如何用电压来控制振荡器的振荡频率。 3.8.1 压控特性 为 处的斜率，称为压控灵敏度 3.8.2 压控振荡器的实现方法 与主网络、反馈网络均有关，控制主网络的相频特性、反馈网络的相频特性或在反馈环路中插入相移网络都可达到控制频率的目的。 可得振荡频率 在LC电路中，用变容管代替电容； 在环形振荡器中，控制电路的延时。控制电路中关键节点的等效电阻和电容。最常用的是控制电阻：用工作在非饱和区的场效应管，也可用正、负阻组合，利用正、负阻的抵消，改变总电阻。 当振荡频率取决于为电容充放电的电流值时，可以控制电流源电路的输出电流。 一般方法 3.8.3 压控振荡器实现方法举例 1、控延时（由控制负电阻实现） R1＝R2＝RP 只要 ， 即为正阻。改变 即可改变 的值，从而改变M1、M2漏极节点上的RC时间常数。 2、 控电流（射极耦合多谐振荡器） 振荡频率取决于电路的充放、电速度。用控制信号去控制电容的充、放电电流，就可控制振荡频率。 当VD (on)1 =VD (on)2 = VBE (on) 时，输出对称方波电压的频率为 3.9 寄生振荡、间歇振荡和频率占据 3.9.1 寄生振荡 寄生振荡是在某些特定频率上，电路中集总参数和分布参数构成的闭合环路满足振荡条件而自行产生的一种不希望的振荡。以破坏闭合环路的振荡条件来抑制寄生振荡。 低频寄生振荡的闭合环路一般由高频扼流圈、隔直流或旁路电容构成。消除措施：合理选择扼流圈的电感量或旁路电容的电容量，扼流圈中串接小电阻或并接大电阻。 超高频寄生振荡的闭合环路由电路中的分布参数、管子极间电容构成。消除措施：采用引线和贴片元件；管子的基极或集电极上串接小的无感电阻；隔直流或旁路的大电容上并接几百pF的小电容。 3.9.2 间歇振荡 引起原因：旁路电容 CE或耦合电容 CB取值过大，偏置电压跟不上振荡幅度的变化。 解决措施：偏置电压的变化速度必须比振荡幅度的变化速度快。CE、CB的取