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第二节 RCC电源 RCC电源是一种自激式电源，它利用反激的过程来输出能量也称反激式自激电源，属于反激式电源的一个种类。RCC是RINGING CHOKE CONVERTER的英文缩写+1） C== 设：正激电压Vf=6V ；Vbe=0.7V ；励磁结束时开关管对应的基极转折电流 I=5ma 计算得到 C= 对此式的解读： 1、R绝对不能大于1.14，也不能等于1.14，不然会出现负数是不可能的。 2、当t=10us、R=0时，计算得C=8.77nf。 3、R决定了开关管从饱和区到放大区再到截止区的速度的快慢，为减少开关管在放大区的损耗，当然希望这速度越快越好。R小速度快，但R太小，开始导通时电流对开关管基极冲击太大，基极损耗加剧。 4、对于2W左右小功率电源，R可取220欧姆到330欧姆 5、当R=0.33K，t=10us，计算得 C=12.nf。 3.2.3 RCC电源对自由状态的约束 上述的电路其实就是一个普通的晶体管高频信号发生器，基本都在低压小电流状态下工作。作为电源在高电压稳压状态下不加约束能够工作，但经不起风浪，Vcc电压大幅度变化会导致开关管集电极电流超出正常范围，导致电源损坏。 从上图中可以看到：假设t1、Ip1是我们需要的励磁时间与励磁电流，当输入电压Vcc升高时，励磁电流就达到了Ip2超过了设定值。反之，t2、Ip2是设定值，到低电压时输出能量不够。为此要增设控制电路： a.励磁电流控制 假设流入Np的最大电流为Ip，因为开关管的集电极电流等于Ip，所以Ip=Ie+Ib，先忽略Ib，所以Ip近似等于Ie。在开关管e极上串联一个电阻Re，检测电阻上的电压作为控制的依据，这电阻也叫取样电阻。 三极管Q2控制原理：Ip电流增加取样电阻产生的电压Ve通过Rb2向C2充电，C2上电压达到0.7V时Q2导通，Q2的集电极电压下降同时拉低了Q1的基极电压，迫使Q1截止。不管输入电压如何变化，每个周期可获得相同的励磁电流，即Ip成为恒量。截止后Nf的极性反转产生反激电压，Q2的集电极呈负电位，Q2的b极与c极（相当于二极管）导通，经Re、Rb2、Rc对C1放电。 Ve=Ip*Re=I*Rb2+Vc2 这里I是流过Q2的基极电流，此电流要多大？这要看Q2到底要下拉多少大的电流。 设：Q2下拉电流30ma、Q2的β=150；电流I要大于30ma/150=0.2ma 计算 Re= 如设Rb2上的降压为0.1V； Rb2=0.1V/0.2ma=500欧姆 Ip=100ma Ie=Ip+Ib1 设Ib1=10ma Re==7.27欧姆 可取6.8欧姆 设计要点： 由于Rb2的接入会影响Ip的控制精度，所以要采用大β、低饱和电压的开关型三极管，控制效果会更好。还有三极管的导通电压也不同，灵敏度高的0.5V就导通了，引起Ip减小，所以根据实际情况要给与修正。 C2的接入与Rb2一起组成一个低通滤波器，能抑制高频杂波对Q2的影响；其次可延长Q2的导通时间，增强关断力度防止电压抖动。设关断时间为0.5uS，Q2基极波动电压⊿u =0.05V。C2的容量为： C2===2nF 输入在高输入电压时，关断时Ip的大小受Ib影响的误差分析： Ip=Ic=Ie+Ib 电路是根据Ie来检测的，所以当关断时Ib=20ma的话，Ip只有80 ma。在设计时要增加余量，用MOS管作为开关管就没有这个误差了。 b.输出电压控制 电流的控制只能控制一次励磁过程也就是一次励磁能量的大小。根据W=*L*Ip2*F*η=Io*Vo，Io是随负载变化而变化的，而通常Vo是要确定的。为此在电路中加入电压控制，对Nf线圈的感应电压进行钳位，达到固定输出电压的目的。 1）简单的控制方法：上图中在Nf回路中增加了一个二极管D1和电容C3用作对反激电压的整流与滤波，相位接法与输出端的接法一样。当励磁结束Ns与Nf极性反转，负载获得能量，同时D1对C3充电。在a、b两端接入稳压管DZ，当C3上电压Vc3=Vdz时，启动电流径DZ流入C3，阻止Q1的启动。Nf上电压等于C3电容上电压加上二极管降压，所以稳压管为输出电压钳位。 钳位电压的确定：C3的电压加二极管上的电压就是Nf的反激电压，根据变压器原理可得到： Vo+Vd2= 式中Vd1、Vd2是二极管的压降，当Ns/Np=1时，Vo=Vc3。很多输出5V的电源适配器都是这样做的。控制了Vc3就等于控制了输出电压，这种方法称作原边反馈控制法。这种做法稳压精度不高但很实用。 2）采用光耦控制电路： 上图中D1与C3做一个简单的整流滤波电路，为光耦提供电压源。当光耦导通时，C3上的电压经R5的限流加到Q2的基极，使其导通，拉低Q1的基极电压使其仍然在关闭状态，延时导通跟上述的道理一样。这电路要求C