MEMS和半导体工艺中的湿法腐蚀配方.pdf

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2017-09-20 发布于湖北
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MEMS和半导体工艺中的湿法腐蚀配方

苏州能斯达电子科技有限公司 MEMS 和半导体工艺材料配比苏州能斯达电子科技有限公司的工程师整理了MEMS 和半导体工艺中接近50 种材料的湿法腐蚀的刻蚀液及配比，趁着新年，给大家送一份豪华大礼包。 1. 铝-Aluminum 2. 砷化铝镓-Aluminum Gallium Arsenide 1. 1:1:30 – H2SO4:H2O2 – 60 Å/sec 2. 8:3:400 – NH3:H2O2:H2O – 25 Å/sec 3. 1:1:10 – HF:H2O2:H2o – 80 Å/sec 苏州能斯达电子科技有限公司 3. 三氧化二铝/铝/蓝宝石-Aluminum Trioxide / Alumina / Sapphire 1. 1:1:3 – NH4OH:H2O2:H2O – 80 ℃ 2. 10% Br2:MeOH 3. 7ml:4g – H3PO:Cr2O3 4. 锑-Antimony 1. 1:1:1 – HCl:HNO3:H2O 2. 90:10:1 – H2O:HNO3:HF 3. 3:3:1:1 – H3PO4:HNO3:CH3COOH:H2O 3min/1000A 50℃ 5. 铋-Bismuth 1. 10:1 – H2O:HCl 6. 黄铜-Brass 1. FeCl3 2. 20% NHSO5 7. 青铜-Bronze 1. 1% CrO3 8. 碳-Carbon 1. H3PO4:CrO3:NaCN 2. 50% KOH (or NaOH) – boiling 3. HNO3 concentrated 4. H2SO4 concentrated 5. 3:1 – H2SO4:H2O2 苏州能斯达电子科技有限公司 9. 铬 -Chromium 1. 2:3:12 KMnO4:NaOH:H2O 2. 3:1 – H2O:H2O2 3. HCl concentrated and dilute 4. 3:1 – HCl:H2O2 5. 2:1 – FeCl:HCl 6. Cyantek CR-7s (Perchloric based) 7 min/micron (24A/s new) 7. 1:1 – HCl:glycerine 12min/micron after depassivation 8. 1:3 – [50gNaOH+100mlH2O]:[30g K3Fe(CN)6+100mlH2O] 1hr/micron 10. 钴-Cobalt 1. 1:1 H2O:HNO3 2. 3:1 HCl:H2O2 11. 铜-Copper 1. 30% FeCl3 saturated solution 2. 20% KCN 3. 1:5 – H2O:HNO3 4. HNO3 concentrated and dilute 5. 1:1 – NH4OH:H2O2 6. 1:20 – HNO3:H2O2 7. 4:1 – NH3:H2O2 8. 1:1:1 – H3PO4:HNO3:HAc 苏州能斯达电子科技有限公司 9. 5ml:5ml:4g:1:90ml – HNO3:H2SO4:CrO3:NH4Cl:H2O 10. 4:1:5 – HCL:FeCl3:H2O 12. 环氧树脂-Epoxies 1. General Polymer Etch 2. 5:1 – NH4OH:H2O2 – 120 ℃ 3. Gold Epoxy 4. 3:1:10 HNO3:HCl:H2O 5. Silver Epoxy 6. 1:3