沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， N $ !$$$ $ SBH+NRB+$TE7BU6I!$$$ ／ ／ （ ）／ $$$K’!N$!$$$N$ !$K$% /)P/G=Q5M)/5MRM)/ !!$$$)8C.+G82+5BE+ V 沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响! 程珊华 宁兆元 康 健 马春兰 叶 超 （苏州大学物理系，苏州 ） !#$$% （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） !$$$ ! ! !$$$ ’ ’$ 用苯作为源气体，使用微波电子回旋共振（ ）等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含氢非晶碳薄膜， ()* 研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响，发现它们与沉积速率密切相关 测量了薄膜的含氢量与 + 谱，利用 等人提出的随机共价网络模型对结果作了分析 *,-,. /.12 + 0 关键词：非晶碳薄膜， 等离子体化学气相沉积，直流电阻 ()* ： ， ， !## 4’%$ #!#$ #!4# 量之间的关系将是十分重要的 本文使用微波 + ()* 引 言 等离子体，用苯提供碳源，在不同基片温度下制备了 含氢非晶碳膜，研究了薄膜的沉积温度对其电阻率、 非晶碳薄膜在微电子器件中应用的可能性已引 击穿场强等电学性质的影响，测量了膜的含氢量，并 ［］ 起人们的关注+5678等人 曾研究了使用93)膜 结合膜的 谱图对沉积温度与膜的结构和成 *,-,. 在激光诱导反应离子刻蚀过程中作为单层掩膜转移 分之间的联系作了分析+ 微细图形的技术 最近，我们研究了非晶碳膜的刻蚀 + ［］ 性能! ，证明该种薄膜在氧等离子体中的刻蚀率很 ! 实验安排 低，可以作为一种耐氧刻蚀的掩膜材料在微电子器 件加工过程中应用 另一方面，为了降低集成电路器 实验是在一台微波电子回旋共振等离子体气相 + 件的层间电容，人们正在寻找新的层间绝缘薄膜材 沉积装置上进行的，关于它的详细描述见文献［］在 % + 料 这种材料应具有低的介电常数，绝缘性能好 非 实验中，使用纯苯蒸汽作为工作气体，用质量流量计 +