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2N7002CK,215;中文规格书,Datasheet资料
2N7002CK
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 01 — 11 September 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
ESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a
small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using
Trench MOSFET technology.
1.2 Features
Logic-level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 3 kV
1.3 Applications
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
VDS drain-source voltage - - 60 V
ID drain current - - 300 mA
IDM peak drain current single pulse; - - 1.2 A
t ≤ 10 µs
p
RDSon drain-source on-state VGS = 10 V; - 1.1 1.6 Ω
resistance
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