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电子技术综合试题6.DOC
电子技术综合试题6
一、填空题(每小格1分,共40分)。
1.-1电路中二极管为理想器件。当输入电压Vi=0V时,输出电压V0=_____V;当输入电压Vi=12V时,输出电压V0=_____V;当输入电压Vi=36V时,输出电压V0=_____V。
2.max=20mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别约为_____V、_____mA、_____mA;当开关S断开时,其读数分别为_____V、_____mA、_____mA。
图1-1 图1-2
3.V,当开关S闭合时V0=_____V,二极管承受的最大反向电压VRM=_____V。当开关S打开时V0=_____V,VRM=_____V。
4._____(填增大、减小或不变);仅减小RC,VCEQ将_____;仅增加RL,VCEQ将_____;仅换(小的管子,VCEQ将_____;仅VG在一定范围内减小,VCEQ将_____。
图1-3 图1-4
5._____和_____两种类型,它们工作时有_____和_____两种载流子参与导电;场效晶体管从结构上看可以分成_____和_____两大类型,它们的导电主要取决于_____载流子的流动。
6._____倍,选用管子时,一般希望ICEO尽量_____。
7._____,噪声_____的特点。
8._____和_____造成的;高频段放大倍数下降主要是由_____和_____造成的。
9._____和_____功能。
10.Vi=15,R=1.5k(,V0 = –0.67V,则流过二极管电流为_____mA,二极管正向压降为_____V。
11.时序逻辑电路的结构特点是具有控制作用的_____和具有_____的触发器两部分组成。
12.(486)10=(________________)8421 BCD。
二、是非题(在括号内作记号:“√”表示对,“×”表示错。每题2分,共20分)
1.半导体器件一经击穿便将失效,因为击穿都是不可逆的。( )
2.Io=Ib+Ic=(1+()Ib总是成立。( )
3...3VCE。
6...,所以越小,其最大输出功率就越大。( )
9...A.0.03mA.0.03.0.03.0.03值为( )
A.NPN=41 B.PNP=40
C.PNP=41 D.NPN=40
2.1.5V时,电流表指示为1.5mA;当GG=2V,电流表指示为1mA;当GG=4V时,电流表指示接近于零,则( )
(1)该管的IDSS为( )
A.1.5mA B.1mA C.4mA D..4V B.2V .– 4V D.–V
3.OTL,则( )
A....4..........A.静态工作点下移 B..............(,RC2=3.9k(,RL=3.9k(,VG=12V,(=50,VBE忽略不计。
(1)画出直流通路及交流通路。
(2)计算静态工作点。
(3)求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻
(4)若C3开路,对静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻有何影响?(只要回答各量是增大、减小或不变)
图4-1
2.4.–VCB= –6V,硅三极管的( = 30,当输入控制方波V1由0V跳变到+6V时,试求:
(1)三极管能否由截止转向饱和。
(2)若将R3改变1k(情况如何。
(3)若不改变R3,换用(=15的管子又如何。
5...0.5V(有效值),Vi的电压放大倍数为10倍,V2、V3的电压放大倍数约等于1,计算实际输出功率。
图4-7
8.
6
图1-5
图3-1
图3-2
图3-3
图3-4
图3-5
图3-6
图4-4
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