硅工艺第2章 氧化习题参考的答案.pptVIP

第二章 氧化习题参考答案;主要公式;x02 + Ax0 = B（t + ?）;习题参考答案;按照表中数据，在920 ℃下，A=0.5um，B=0.203um2/h，将值代入式（2.31）得;2. 在某个双极工艺中，为了隔离晶体管，需要生长1μm厚度的场氧化层。由于考虑到杂质扩散和堆垛层错的形成，氧化必须在1050℃下进行。如果工艺是在一个大气压下的湿氧气氛中进行，计算所需的氧化时间。假定抛物型氧化速率系数与氧化气压成正比，分别计算在5个和20个大气压下，氧化所需的时间。;表中列出了（111）硅在总压强为1大气压下氧化动力学的速率常数的参量，对于（100）硅，相应值中所有C2值除以1.68;一个大气压，T=（1050+273）K，k=1.38*10-23, kT=0.114eV ;3. 局部氧化是一种广泛用来提供IC芯片中器件之间横向隔离的工艺。在某些情况下，希望得到隔离具有比标准LOCOS提供的更为平坦的表面，所以在氧化工序前使用了硅刻蚀工艺，如图所示。对左边所示的结构，在氧化前刻去0.5um厚的硅，在1000℃H2O气氛中硅片必须氧化多长时间以便提供右图所示的等平面氧化硅？;在热氧化期间生长1um的SiO2消耗0.44um的硅。因此，填满刻蚀槽中的生长氧化硅将消耗一额外厚度的硅，我们需要生长SiO2的总厚度由下式给出：;4. 将一硅片氧化（x0=200nm），然后使用标准的光刻和刻蚀工艺技术去掉中心部位的SiO2，接着使用N+掺杂工序形成如下图所示的结构。下一步将此结构放在氧化炉中在900℃下H2O中氧化。氧化硅在N+区上生长要比在轻掺杂的衬底中快得多。假设B/A在N+区增加到4X。在N+区上生长着的氧化硅厚度会不会赶上其他氧化硅厚度呢？如果会，何时赶上，赶上时的厚度是多少？请使用D-G氧化动力学模型。;T=（900+273）K，k=1.38*10-23, kT=0.1012eV;;14;5. 在硅片中刻蚀出1um宽的槽，槽的侧面都是（110）平面。进行斜角注入，对侧墙掺杂N+，所以线性速率增加到4倍。然后将结构在1100℃下的水汽中氧化。在氧化过程中什么时候槽被SiO2填满？假设氧化系数比近似为[(111:110:100)=(1.68:1.2:1.0)].;T=（1100+273）K，k=1.38*10-23, kT=0.1184eV; ;6. 简述常规热氧化法制备二氧化硅介质薄膜的动力学过程。 答：硅片在含有氧化剂的高温热氧化过程中，氧化剂穿透初始氧化层向二氧化硅-硅的界面运动并与硅发生反应，其介质薄膜生长的动力学过程如下： 1) 氧化剂扩散穿过附面层达到SiO2 表面，流密度为F1 。 2) 氧化剂扩散穿过SiO2 层达到SiO2-Si界面，流密度为F2 。 3) 氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ，流密度为F3 。 4) 反应的副产物离开界面。;7. 二氧化硅介质薄膜对三价和五价化学元素绝对具有 “阻挡”作用的说法是否正确？为什么？ 答：客观上，给人们的印象是氧化硅介质膜可阻挡三、五价化学元素等杂质。准确地讲，并不是这些杂质进不来，而是在一定温度条件下和一定时间条件内，进来的杂质迁移速度由于处在网络形成的状态下，十分缓慢或几乎停顿下来。 因杂质在SiO2中的扩散速度远小于在硅中的扩散速度，那么，在一定厚度的SiO2膜的保护下就能对杂质起到掩蔽作用，该掩蔽作用是相对的、有条件的。这也是硅晶体管和硅集成电路得以实现选择扩散的重要因素之一。;8. 硅平面工艺中常规高温热氧化工序通常是怎样设置的？科学的氧化工序都考虑了哪些因素？ 答：不同热氧化方法的SiO