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核磁共振上岗证考试部分考题MRI部分考的试题2.docVIP

核磁共振上岗证考试部分考题MRI部分考的试题2.doc

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核磁共振上岗证考试部分考题MRI部分考的试题2

核磁共振上岗证考试部分考题MRI部分考试题2 名词解释:(每题2分,共6分) ? 1、磁共振现象-------用特定频率的射频脉冲(RF)进行激发,作为小磁体的氢原子核吸收一定量的能而共振,即发生了磁共振现象。 2、超导体-----某些物质的电阻在超低温下急剧下降为零的超导性质,把这些物质称为超导体。 3、磁共振血管造影(MRA)---不需要造影剂即可得到血管造影像,优于CT和X线血管造影。 二、填空:(每空1分,共22分) 1、磁共振的成像方法有点成像法、线扫描法、二维和三维的反投影重建、付立叶成像法。 磁共振设备包括磁体、梯度线圈、供电部分、射频发射器及信号接收器;模拟转换器、计算机、磁盘与磁带机等。 超导磁体的优点是场强高,稳定性和均匀度好 梯度系统包括控制、预驱动、功率驱动、反馈、高压控制、高压开关等电路。 ? 三、断题:8分(每题2分) 1、影响常导磁体磁场不稳定的因素主要是磁体的电流。(错 )[电源] 2、超导磁体的优点是场强高,稳定性和均匀度好;缺点是技术复杂和成本高。( 对 ) 3、梯度场线圈的作用是在一定电流的驱动下,产生好的梯度磁场。( 错 )[产生线性度好的梯度磁场] 4、MRI成像系统中计算机的作用,主要是控制梯度磁场、射频脉冲;控制图像的重建和显示。( 对 ) 四、简答题:(每题4分) 1、简述什么叫T1、T2? 答:弛豫时间有两种,一种是自旋——晶格弛豫时间又称纵向弛豫时间反映自旋核把吸收的能传给周围晶格所需要的时间,也是90°射频脉冲质子由纵向磁化转到横向磁化之后再恢复到纵向磁化激发前状态所需时间,称T1。另一种是自旋—自旋弛豫时间,又称横向弛豫时间反映横向磁化衰减、丧失的过程,也即是横向磁化所维持的时间, MRI技师上岗证试题及答案解析 1 核磁共振的物理现象是哪一年发现的(??A??)   A.1946年 B.1952年 C.1972 D.1977年 E. 1978年 2 第一幅人体头部MR图像是哪一年获取的(??E??)   A.1946年 B.1952年 C.1972年 D.1977年 E.1978年 3 下列哪一项不是MRI的优势(??B??)   A.不使用任何射线,避免了辐射损伤 B.对骨骼,钙化及胃肠道系统的显示效果   C.可以多方位直接成像 D.对颅颈交界区病变的显示能力 E.对软组织的显示能力 4 下列元素中哪个不能进行MR成像(??C??)   A.13C B.31P C.2H D.23Na E.19F 5 下列哪一项是正确的(??D??)   A.由于静磁场的作用,氢质子全部顺磁场排列 B.由于静磁场的作用,氢质子全部逆磁场排列  C.由于静磁场的作用,氢质子顺,逆磁场排列数目各半 D.顺磁场排列的质子是低能稳态质子  E.逆磁场排列的质子是高能稳态质子 6 下列哪一项是正确的(??A??)   A.逆磁场方向排列的质子是高能不稳态质子 B.顺磁场方向排列的质子是高能稳态质子  C.顺磁场方向排列的质子是高能不稳态质子 D.逆磁场方向排列的质子是低能稳态质子  E.逆磁场方向排列的质子是低能不稳态质子 7 下列等式中,哪一项是正确的(??D??)   A.1T(特斯拉)=10G(高斯) B.1T=102G C.1T=103G D.1T=104G E.1T=105G 8 在0.5Tesla的场强中,氢质子(1H)的共振频率约为(??B??)   A.6.4MHz B.21.3MHz C.42.6MHz D.63.9MHz E.85.2MHz 9 横向弛豫是指(??B??)   A.T1弛豫 B.自旋-自旋弛豫 C.自旋-晶格弛豫   D.氢质子顺磁场方向排列 E.氢质子逆磁场方向排列 10 纵向弛豫是指(??C??)   A.T2弛豫 B.自旋-自旋弛豫 C.自旋-晶格弛豫   D.氢质子顺磁场方向排列 E.氢质子逆磁场方向排列 11 磁场梯度包括(??D??)   A.层面选择梯度 B.相位编码梯度 C.频率编码梯度 D.以上均是 E.以上均不是 12 在三个梯度磁场的设置及应用上,下述哪一项正确(??E??)   A.只有层面选择梯度与相位编码梯度能够互换 B.只有层面选择梯度与频率编码梯度能够互换 C.只有相位编码梯度与频率编码梯度能够互换 D.三种梯度磁场均不能互换  E.三种梯度磁场均能互换 13 下列哪种说法是错误的(??C??)   A.梯度场越大,层面越薄 B.梯度场越小,层面越厚 C.梯度场越大,层面越厚  D.射频频带宽度越窄,层面越薄 E.射频频带宽度越宽,层面越厚 14 在MR成像过程中,三个梯度磁场启动的先后顺序是(??A??)   A.层面选择—相位编码—频率编码 B.层面选择—频率编码—相位编码  C.相位编码—频率编码—层面选择 D

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