功率对ITO性能影响.docVIP

功率对ITO性能影响 1、相关定义 1.1、薄膜晶体管的基本概念 件结构1.1.1 薄膜晶体管典型器件结构 薄膜晶体管的结构和传统的 MOS 场效应管类似,它是通过在衬底上沉积栅 极(gate)、栅绝缘层(insulator)、沟道层(semiconductor channel)、源漏电极 (source/drain)制备而成的。然而,按照栅极、沟道层、源漏电极的排列位置不同, 薄膜晶体管又有底栅顶接触、底栅底接触、顶栅底接触、顶栅顶接触四种常见的 器件结构,如图 1.1 所示。我们研究的主要是底栅顶接触结构的器件。 图 1.1 薄膜晶体管的四种常见结构 1.2、ITO 透明导电膜方块电阻的定义 电阻率是半导体的重要电学参数之一,而在薄膜中,我们常用方块电阻来代替电 11 阻率表示其导电能力。图 2.2 是电流平行经过 ITO 膜层的情形,其中 d 为薄膜厚度, I 为电流,L1 为在电流方向上的膜层长度,L2 为在垂直于电流方向上的膜层长度。当 电流流过如图 1.3 所示的方形导电膜层时,该层的电阻为: 图 2.2 ITO 薄膜方块电阻示意图 1 2 R=L dL ρ (2-11 ) 式中,ρ 为导电膜的电阻率。对于给定的薄膜ρ 和 d 可以看成是定值。当 L1= L2时, 即为正方形的薄膜时,无论其边长大小如何,其电阻值均为定值ρ /d。这就是方块电 阻的定义,即 R d =ρ (2-12 ) 式中,R 的单位为:欧姆/方块(Ω / )。由此可以看出方块电阻(又称为表面电阻) 与 ITO 膜层的电阻率ρ 和 ITO 膜厚 d 有关。 测量电阻率的方法有很多,如二探针法、四探针法、扩散电阻法等。而四探针法 是目前检测半导体材料电阻率一种广泛采用的标准方法[34]。但四探针法只能给出薄膜 样品的方块电阻,需测定薄膜的厚度计算出薄膜的电阻率。实验用 SZ-82 型四探针测 图 2.3 四探针法测方块电阻 试仪测量方阻。四探针法具有设备简单操作方便、精度高、对样品的几何形状无严格 12 要求等优点。一般的仪器均采用直线等距四探针[40],如图 2.3 所示。 设探针间距为 s,样品电阻率为ρ ,对于薄膜样品,只要探针间距远大于样品的 厚度,就可以不考虑电流在纵向的衰减,引入点电流源的探针的电流强度为 I 则产生 的电力线为圆带形,即等位面是一系列以点电源为中心的厚度为 d 的圆带,即: J= I 2π rd (2-13 ) 其中,r 为离开点电源的距离,I 为该处的电流密度,若 E 为 r 处的电场,则 令探针 2 处的电位为零,则探针 1 处的电位为: r r s s (r) Edr=I dr 2 d r ρ Φ = ∫π ∫ 所以: (r) I (lnr-lns) 2 d ρ Φ =π (2-14 ) 同样探针 4 在距其 r 处产生的电位为: (r)I (lnr-ln2s) 2 d ρ Φ′ =π (2-15 ) 因为我们己经另探针 2 处的电位为零,所以探针 3 处的电位即 V23为: 23 V (2s) (s)I ln 2 d ρ = Φ +Φ′ =π (2-16) 所以有: R V23 4.52324 V23 d ln2 I I =ρ = π = (2-17) 只要测出探针 2、3 之间的电压和流过探针 1 的电流 I,就可以求出方阻R ,方块电 阻与薄膜厚度之积即为薄膜的电阻率。 1.3、关于人才的定义 关于人才的定义,社会上一般将德才兼备的人或有一定专长学问的人叫做”人 才”;教育学上将经过学校教育,在德智体诸方面具备了一定素质,基本上可以适 应某种工作的叫做人才,实际指获得了中专、大专及大学本科以上学历的毕业生; 人才预测学中讲的人才是指有中专以上学历和技术员以上业务职称的人;人才学 讲的人才是指:以其创造性劳动,为社会发展和人类进步做出一定贡献的人。2003 年 12 月,全国人才工作会议重新给予人才一个明确的定义:一是有知识、有能力; 二是能够进行创造性劳动;三是在政治、精神、物质三个文明建设中做出贡献。 服务外包对于人才有着特殊需求。由于外包服务领域的多样性、行业的高速 7 发展性和市场的国际性,软件外包服务与其他传统服务行业相比具有显著的不同。 从范围上看,既包括从事信息产业相关技术研究开发活动的科学家、工程师和大 量专业技术人才、经营管理人才;也包括大量熟练掌握新技术和新工艺,从事具 体的技术应用活动的技能型工人。从特点上看,一是政治素质和品德修养高;二 是专业性和综合性知识兼备;三是学习能力和创新能力强;四是实践能力和业务 成绩突出。从结构上看,大概可分为三个层次:一是高层的领军型人才,既懂技 术,又懂管理的创业人才;二是中层的技术骨干,以软件工程师为代表的中高级 工程师;三是基层大专以上的基