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功率对ITO性能影响 1、相关定义 1.1、薄膜晶体管的基本概念 件结构1.1.1 薄膜晶体管典型器件结构 薄膜晶体管的结构和传统的 MOS 场效应管类似,它是通过在衬底上沉积栅 极(gate)、栅绝缘层(insulator)、沟道层(semiconductor channel)、源漏电极 (source/drain)制备而成的。然而,按照栅极、沟道层、源漏电极的排列位置不同, 薄膜晶体管又有底栅顶接触、底栅底接触、顶栅底接触、顶栅顶接触四种常见的 器件结构,如图 1.1 所示。我们研究的主要是底栅顶接触结构的器件。 图 1.1 薄膜晶体管的四种常见结构 1.2、ITO 透明导电膜方块电阻的定义 电阻率是半导体的重要电学参数之一,而在薄膜中,我们常用方块电阻来代替电 11 阻率表示其导电能力。图 2.2 是电流平行经过 ITO 膜层的情形,其中 d 为薄膜厚度, I 为电流,L1 为在电流方向上的膜层长度,L2 为在垂直于电流方向上的膜层长度。当 电流流过如图 1.3 所示的方形导电膜层时,该层的电阻为: 图 2.2 ITO 薄膜方块电阻示意图 1 2 R=L dL ρ (2-11 ) 式中,ρ 为导电膜的电阻率。对于给定的薄膜ρ 和 d 可以看成是定值。当 L1= L2时, 即为正方形的薄膜时,无论其边长大小如何,其电阻值均为定值ρ /d。这就是方块电 阻的定义,即 R d